攻化合物半導體，SiC晶柱雷射切割研發聯盟簽MOU
MoneyDJ新聞 2021-12-10 14:56:49 記者 新聞中心 報導 隨著5G、衛星通訊、電動車的浪潮來臨，對於高頻率運算、快速充電的產品需求極速上升，化合物半導體的發展?各國競相發展的技術重點。經濟部技術處近年規劃推動化合物半導體技術開發，而金屬中心亦投入相關半導體自動化、精微研磨設備與材料研發及檢測驗證技術的研發，而技術處一向支持法人能量能擴散到業界，如今金屬中心與雷科股份有限公司、真興科技有限公司攜手合作，於今(10)日簽署「SiC（碳化矽） 晶柱雷射切割研發聯盟合作備忘錄」(MOU)。
技術處指出，希望以研究法人精密設備設計開發的能量優勢，加上國內廠商雷射光路數位光學技術，共同開發碳化矽晶柱雷射切割設備，取代傳統利用鑽石線切割SiC晶錠，切片速度慢且損耗大，及表面平坦度較差的問題，此次產研合作突圍國外競爭對手在碳化矽半導體雷射切割技術的壟斷。
雷科(6207)集團總經理黃萌義表示，雷科長期投入開發各項雷射切割設備，已經累積雷射切割相關技術。近年隨著電動車、5G 等新興應用對於功率元件效能需求更高，傳統矽與砷化鎵半導體的溫度、頻率、功率已達瓶頸，難以提升電壓和運轉速度；化合物半導體材料「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN），其中SiC更可應用於1,000伏特以上的高壓電，如用在高鐵、風力發電、電動車等，碳化矽可大幅提升效率。本次研發聯盟的成立，就是希望國內能掌握雷射晶柱切割自主技術，協助台灣搶佔化合物半導體龐大商機。
真興科技創辦人邱俊榮指出，化合物半導體是未來各國搶占新能源、電動車，乃至太空科技、國防產業，不能忽視的上游關鍵技術。真興在雷射光學光路設計擁有獨特技術能量，未來與聯盟夥伴攜手開發雷射晶柱切割設備，突破國外雷射切割專利壁壘，持續維持台灣在半導體產業的技術領先優勢。
金屬中心執行長林秋豐則談到，研發新世代半導體技術?總統「六大核心戰略產業」政策重點，在此目標下，技術處積極整合產研能量，將研究成果落實至產業。本聯盟案金屬中心將投入雷切設備機構與電控設計、晶片研磨以及檢測驗證技術，協助業者快速將技術實現商品化。而傳統線切割技術，因碳化矽高硬度使得線割磨耗大及切割速度慢，未來開發先進雷射面切割技術，切割時間可大幅減少約85%，材料耗損減少約70%。由於國際唯二的先進雷射切割設備尚未外售，期望藉由此次聯盟合作，能成功突破國際大廠築起之技術壁壘，為臺灣半導體搶佔上游戰略布局先機，以加速化合物半導體的發展。
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