德國英飛凌在GaN節能晶片的量產，取得突破

德國半導體公司英飛凌在氮化鎵節能晶片的量產取得突破

一、由於AI熱潮，氮化鎵(GaN)晶片越趨重要。市場研究機構Omdia研究人員表示，氮化鎵元件能源轉換效率高，減少伺服器的能源需求。氮化鎵耐高壓、高溫等特性可大幅縮小晶片面積，據意法半導體公司估計，氮化鎵晶片可將充電器體積縮小40%，進而提供智慧手機或電動汽車更小且更高效的電池充電裝置。氮化鎵晶片目前仍比矽晶片貴得多。但德國半導體公司英飛凌在氮化鎵節能晶片的量產上取得突破，有望降低氮化鎵的成本。

二、英飛凌為全球第一家成功在300mm晶圓量產氮化鎵晶片的供應商。英飛凌執行長說明氮化鎵是在傳統的矽晶圓上生長。難點在於，兩種材料的晶體結構實際上並不匹配，且晶圓越大，壓力越高。在一個300mm晶圓上，相當於四頭大象站在一分錢硬幣上。300mm晶圓可生產的半導體數量是200mm的2.3倍。英飛凌希望透過新技術能長期確保氮化鎵晶片不比傳統矽晶片貴。

三、英飛凌看好氮化鎵市場，並已投入大量資金，在一年半前已以8.3億美元收購一家專精於氮化鎵晶片、擁有200名員工的加拿大公司GaN Systems。英飛凌執行長認為未來許多應用最終將使用氮化鎵材料。市場研究公司Yole專家預估氮化鎵功率半導體業務將成長近十倍，從2023年的2.6億美元成長到2029年的25億美元。 (資料來源：經濟部國際貿易署)