增產先進DRAM 美光廣島新廠傳27年運轉、導入EUV
MoneyDJ新聞 2024-05-29 07:19:39 記者 蔡承啟 報導  增產先進DRAM產品，傳出美國記憶體大廠美光(Micron Technology)日本廣島新廠將在2027年運轉生產、將導入多台EUV(極紫外光)微影設備、投資額最高達8,000億日圓。
日刊工業新聞28日報導，為了增產先進DRAM、美光位於日本廣島的新廠據悉將在2027年底運轉生產。該座先進DRAM新廠位於美光廣島工廠附近，將在2026年初動工興建、將導入多台EUV微影設備，投資額最高達8,000億日圓。
根據MoneyDJ XQ全球贏家系統報價，美光28日大漲2.46%、收132.67美元，創歷史收盤新高。
日經新聞4月30日報導，為了因應生成式AI用記憶體需求擴大，美光將在日本廣島工廠量產生成式AI所必需的「高頻寬記憶體(HBM)」、目標在2025年將HBM全球市佔率提高至25%、將達2022年的2倍以上水準。
美光執行副總裁兼事業長Sumit Sadana接受日經新聞專訪表示，「廣島工廠將成為AI記憶體生產據點」，藉由導入次世代技術和增產投資，「目標將HBM市佔率提高至25%左右水準」。美光2024年2月開始出貨的新型HBM產品已獲輝達(Nvidia)採用。
據台灣調查公司Trendforce指出，2022年美光HBM市佔率僅1成，落後給南韓SK海力士(市佔率50％)和三星電子(40%)。
(圖片來源：廠商提供)
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