拼製程！三星：成功試產首顆14奈米FinFET技術晶片

精實新聞 2012-12-21 11:04:02 記者 郭妍希 報導

韓國聯合通訊社(Yonhap)、EETimes報導，三星電子(Samsung Electronics Co.)21日宣布，該公司已成功試產出旗下第一顆採用鰭式場效電晶體(FinFET)技術的14奈米製程測試晶片。

三星表示，這款測試晶片是和安謀(ARM)、Cadence、Mentor Graphics以及Synopsis共同開發出來的成果。FinFET技術可讓電源運用更有效率。

三星表示，該公司計畫與上述四家夥伴共同推出採用14奈米FinFET製程技術的產品。三星系統大規模集成電路(System Large Scale Integrated Circuit)部門主管Choi Kyu-myung表示，14奈米FinFET製程技術可提升裝置效能並降低耗電量，進一步改善行動環境。

這是過去一個月以來第二款採用14奈米FinFET製程技術的測試晶片獲得發表。Cadence甫於11月推出一款搭載安謀Cortex-M0處理器架構的14奈米測試晶片，採用的是IBM的FinFET製程技術。

台積電(2330)技術長孫元成曾在11月23日指出，該公司的20奈米系統單晶片(SoC)解決方案預計今年Q4即可試產(risk production)，而明(2013)年11月則預計推出16奈米FinFET製程(技術水準相當於競爭者的14奈米)的試產。至於再下一個世代的10奈米FinFET製程，台積電則預計於2015年底推出。

孫元成當時表示，跨入16奈米製程後則是FinFET架構的天下，而台積電將使用安謀首款64位元處理器v8來測試16奈米FinFET製程，並可望在明年11月推出首款測試晶片。