韓媒：記憶體微縮14奈米為極限、3D NAND成新寵
MoneyDJ新聞 2014-09-17 12:00:31 記者 陳苓 報導 記憶體晶片的微縮製程面臨極限，BusinessKorea報導，預料3D垂直堆疊技術將成兵家必爭之地，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等紛紛投入研發。
BusinessKorea 16日報導，三星電子最近完成14.3吋奈米NAND flash的研發，將微縮製程目標改為14.2吋。2000年中期以來，NAND flash製程從40奈米一路降至16奈米，業界專家認為14奈米將是微縮製程極限，因為10奈米NAND flash技術上雖然可行，可是所需的設備投資過高，就算生產也難以獲利。
微縮製程遭遇瓶頸，業者因此另闢蹊徑，改採3D垂直架構。報導稱，其中三星電子技術最為先進，今年5月推出業界首見V-NAND技術堆疊32層，高於前代的24層。部分專家預估，三星可能已經完成48層堆疊的原型技術。
東芝也增加3D NAND投資，計畫不久後開始生產40-70層的V NAND晶片。SK海力士也將在今年量產3D NAND。業界人士估計，NAND flash堆疊層可在幾年內衝上100層。
全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝9月9日為旗下NAND Flash生產據點「四日市工廠」第5廠房(Fab 5)的擴建工程(第2期工程)舉行完工儀式，此次完工的新廠房已自9月開始量產採用最先端15nm製程技術的NAND Flash產品，並預計自9月底開始進行出貨；東芝已於今年4月小量生產15nm NAND Flash，故上述新廠房加入生產行列後，也宣告東芝將正式大規模量產(開始增產)15nm產品。
三星電子(Samsung Electronics Co.)5月9日宣布，中國西安記憶體晶片製造廠正式啟用、旗下先進NAND型快閃記憶體「3D V-NAND(見圖)」將在該廠投產。三星並且表示，西安封裝測試廠預計在今年底以前也將會完工。3D V-NAND將應用於固態硬碟(SSD)等消費、企業應用產品。
美國三星記憶體部門行銷副總Jim Elliott去年10月透過官網部落格發表專文指出，根據IHS iSuppli的預估，2017年3D NAND技術將佔整體快閃記憶體出貨量的65.7%。IHS並且預估，全球NAND flash記憶體市場規模將自2013年的236億美元擴增至2016年底的308億美元、平均複合年增率達11%。
傳統NAND把電晶體依照X、Y軸水平排放，但是縮小電晶體體積有其極限，3D NAND或V-NAND加入Z軸，可以垂直排放，意味業者不只能在平面放置電晶體，還可以層層堆疊，有助降低生產成本。(影片見此)
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