三星大陸NAND Flash晶片廠傳將落址北京

精實新聞 2012-01-16 10:45:47 記者 余美慧 報導

據消息人士獲悉，韓國三星電子(Samsung Electronics Co.)在大陸投資規模達40億美元的晶片廠將落址北京。

1月4日，韓國政府對外宣布，已批准三星電子在大陸投資40億美元，建設一座NAND快閃記憶體晶片廠；為三星第二座海外晶片廠，在此之前，三星在美國德州建設了第一家海外晶片廠。

韓國知識經濟部在一項聲明中表示，新工廠將生產用於音樂播放器與手持裝置的NAND快閃記憶體晶片，晶圓月產能為10萬片。據悉，三星大陸廠產品線將採用尖端20奈米或以下製程技術，計劃在2013年開始量產。

新浪科技報導，長期關注半導體產業發展的iSuppli高級分析師顧文軍表示，選擇北京應該是三星對於在大陸整體業務發展進行綜合考量後的選擇，這將對北京的GDP、就業、稅收等方面作出貢獻；他同時指出，對大陸的半導體產業而言，這可能並不是一個好消息。

顧文軍表示，三星在大陸的生產線不會進行對外代工，製程技術也不會公開，由於要快速實現量產，反而將不可避免要從大陸本土晶片企業挖人，造成人才流失；目前，大連的英特爾工廠、北京的中芯國際等公司都有大量技術人才。