精實新聞 2012-02-04 10:18:07 記者 楊喻斐 報導
全球NAND Flash控制晶片大廠慧榮科技(NasdaqGS: SIMO) 總經理苟嘉章表示，今年將持續專注高階市場發展，受惠於南韓三星訂單加持下，預估LTE收發器及eMMC控制晶片等新產品將快速成長並明顯挹注營收，成為未來成長的重要驅動力，預計今年度將貢獻四分之一的營收，即佔25%，明年比重將持續拉高。
慧榮布局LTE(新一代4G通訊技術)有成，並成功打入三星供應鏈，穩居市場龍頭地位。苟嘉章表示，去年第三季由於三星加速產品佈建，慧榮LTE收發器營收大幅成長，第四季開始回歸正常的成長率，需求呈現減緩的情況；不過值得注意的是，去年第四季開始，採用慧榮LTE及CDMA EV-DO收發器的三星Galaxy Nexus開始出貨給美國電信業者Verizon，該產品是Verizon最暢銷的機款之一，後續成長可可期。
苟嘉章透露，目前公司已經拿到超過五個Design-win，這些產品預計今年上半年進入量產，相信三星下一代的LTE手機及平板電腦在品質上將持續受到市場肯定，且更加熱賣，而慧榮也將可以同步受惠，在LTE領域的表現絕對值得期待。
另外，eMMC控制晶片於去年12月開始進入量產，與Flash大廠及模組廠客戶持續密切合作，為今年營收貢獻做準備。此外，去年第四季慧榮推出全球最快速的CF卡(1000倍)，傳輸速度達每秒150MB，已開始出貨給Lexar。
苟嘉章預估，今年來LTE收發器及eMMC控制晶片等新產品將快速成長、並明顯挹注營收，將貢獻四分之一的營收，即佔25%，明年比重將持續拉高。
展望今年第一季，苟嘉章認為，今年第一季受到季節性因素及上一季模組廠客戶備貨超乎預期的影響，行動儲存營收將較上季減少，不過相信在新LTE Design-win開始進入量產後，LTE收發器營收將獲得成長，彌補部分行動儲存減少的業績。
慧榮預估今年第一季的營收季減幅度落在5-15%，毛利率將介於47%~49%，營業費用預估介於1,550萬美元至1,700萬美元之間，預估今年度營收將較去年成長20-30%，毛利率將介於48%~50%，整體營運表現將可望再創巔峰。
另外，慧榮公布去年第四季與全年財報均繳出歷史新高的好成績，第四季單季每股盈餘為0.47美元，換算新台幣為14元，其中，行動儲存控制晶片出貨較上一季成長14%，年成長更達42%，平均售價(ASP)較上一季增加6%，較上一年度同期成長亦成長13%。
回顧去年第四季的表現，苟嘉章表示，在行動儲存方面，來自OEM客戶營收較上一季成長35%，主要因為NAND Flash大廠及一線消費性電子OEM客戶為年底銷售旺季增加備貨。此外，來自模組廠客戶的營收則較上一季成長了10%，尤其NAND Flash產品跌價的狀態，仍相當有利於模組廠生產銷售所需的記憶卡、隨身碟等產品，而目標市場主要集中在中國及其他開發中國家。
苟嘉章指出，去年第四季平均售價(ASP)較上一季增加6%，較去年同期成長了13%，顯示慧榮針對高階控制晶片的研發投資已開始獲得回收，目前超過65%控制晶片營收來自支援2x奈米Flash的產品，其中包括支援最新19奈米及21奈米Flash的控制晶片，至於TLC控制晶片營收較上季大幅成長逾60%，約佔控制晶片營收50%，至於其他的以MLC控制晶片為主，SLC控制晶片則佔少數。
