新日鐵完成6吋SiC晶圓研發 挑戰全球40%市佔

精實新聞 2011-12-07 09:29:42 記者 蔡承啟 報導

新日鐵(Nippon Steel)6日發布新聞稿宣布，已完成尺寸達6吋的碳化矽(SiC)單晶晶圓的研發，此為日本國內首見的創舉。新日鐵表示，6吋SiC晶圓為次世代高性能電源控制晶片能否量產/普及的關鍵材料，和現行使用於二極體、電晶體等半導體元件的矽晶圓相比，SiC晶圓可將電力變換過程中的電力損失量減半，且其耐電壓性和耐熱性也優於矽晶圓。

新日鐵表示，隨著6吋SiC晶圓的研發成功，不但可降低SiC元件的製造成本，而且可將SiC元件的應用領域擴增至太陽能發電或車用(電動車EV/油電混合車HEV)等市場。

據日經新聞指出，新日鐵計畫於2013年度開始量產上述6吋SiC晶圓產品，目標為搶下全球40% SiC晶圓市佔；目前新日鐵SiC晶圓全球市佔率為5-6%，遜於美國Cree的60-70%位居第2位。日經指出，目前全球SiC晶圓需求量雖不足5萬片，惟預估2020年時將大幅倍增至40萬片的規模，其中可應用於車用市場的6吋產品年均增幅預估可達90%。

新日鐵於日前宣布，計畫於2012年3月底前階段性將4吋以下(含4吋)的SiC晶圓月產能擴增至1,000片的規模，約達現行產能的3倍；新日鐵自2009年開始就進行SiC晶圓的生產與販售。新日鐵並同時宣佈，已與美國Cree就雙方於全球所持有的SiC單晶晶圓相關專利簽署了相互授權契約。