MoneyDJ新聞 2023-05-22 06:01:15 記者 蔡承啟 報導
日本半導體大廠瑞薩電子(Renesas Electronics)將自今年開始投資碳化矽(SiC)功率半導體、目標2025年開始量產，起步雖慢於其他同業，不過瑞薩自信滿滿表示，一旦開始進行生產、事業將能順遂進展。
日經新聞、路透社、《日經xTECH》19日報導，瑞薩社長兼CEO柴田英利於19日在線上舉行的戰略說明會上表示，將自今年起開始投資SiC功率半導體、目標在2025年開始進行量產，將利用旗下目前已生產矽製功率半導體的高崎工廠的6吋晶圓產線進行生產，主因隨著電動車(EV)普及、帶動節能性能優異的SiC功率半導體今後需求有望顯著增長。瑞薩在去年11月就表明要進軍SiC功率半導體市場，此次則是首度明確說明投資戰略。
瑞薩現行採取的生產策略是運算用先進邏輯晶片等產品委由晶圓代工廠生產、而易於活用自家技術的功率半導體則靠自家工廠生產。而除了SiC外，瑞薩也將對現行EV採用的矽製IGBT等功率半導體進行積極投資，於2014年關閉的甲府工廠預計將在2024年上半年重新啟用、將生產矽製功率半導體。
在SiC功率半導體市場上，龍頭廠瑞士STMicroelectronics、德國英飛凌(Infineon)、日本三菱電機等廠商也正致力於投資，瑞薩起步可說是比較慢。不過對此，柴田英利表示，「在功率半導體上、我們起步非常慢。例如、EV用IGBT現在的市佔率推估為10%左右。但甲府工廠開始生產的話，(市佔率)將可增至2倍、3倍」。
柴田英利自信的表示，「客戶對瑞薩IGBT的評價非常高、會將這些評價活用至SiC事業上。現在SiC市場仍小、但將來毫無疑問的會變得非常大。客戶對瑞薩SiC產品的詢問、即便是(尚未生產的)現在、也非常強勁，2025年開始生產的話、事業將可順遂進行」。
和矽製功率半導體相比、SiC功率半導體擁有更優異的耐熱/耐壓性，電力耗損少，搭載於EV能提高續航距離，而除了EV外、來自蓄電池等再生能源領域的需求也看漲。
SiC功率半導體需求衝、35年估飆30倍
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)公布調查報告指出，因EV等車輛電動化需求、加上太陽能發電等再生能源普及，帶動2023年全球功率半導體市場規模(包含矽製產品和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增12.5%至3兆186億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2035年將擴增至13兆4,302億日圓、將較2022年暴增4倍(飆增約400%)。
其中，因以中國、歐洲為中心加速採用，帶動2023年SiC功率半導體市場規模(包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增34.3%至2,293億日圓，之後隨著車輛電動化、再生能源普及，帶動市場有望呈現急速增長，2035年預估將擴大至5兆3,300億日圓、將較2022年狂飆30.2倍。
電子元件大廠羅姆(Rohm)5月9日公布財報資料指出，位於福岡縣筑後市的工廠已於2022年12月開始量產SiC功率半導體，且也計劃興建新工廠，目標在2025年度將SiC功率半導體月產能(以6吋晶圓換算)提高至2021年度的6.5倍、2030年度進一步擴增至35倍。Rohm表示，目標在2025年度將SiC功率半導體營收提高至1,300億日圓、2027年度進一步提高至2,700億日圓。
三菱電機3月14日宣布，將增產SiC功率半導體，主因EV用需求旺、帶動市場預估將呈現急速成長。三菱電機將投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內興建新廠房，該座新廠將導入8吋SiC晶圓產線、預計2026年4月啟用生產，三菱電機並將擴增位於熊本縣合志市的工廠的6吋晶圓產能。日媒指出，藉由上述增產投資，2026年度時、三菱電機SiC晶圓產能將擴增至2022年度的約5倍水準。
(圖片來源：瑞薩官網)
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
