MoneyDJ新聞 2023-11-07 10:12:38 記者 新聞中心 報導
群光電能(6412)宣布與英商劍橋氮化鎵器件公司(Cambridge GaN Devices，CGD)以及英國劍橋大學技術服務部(CUTS)簽署了一項三方協議，將共同合作開發基於氮化鎵(GaN)技術的先進、高效率、高功率密度筆記型電腦和資料中心電源產品。
群電是一家成熟穩健的電力電子系統整體解決方案供應商，專注於為筆記型電腦、桌上型電腦、遊戲機、以及伺服器/雲端等各種應用開發電源供應器解決方案。CGD是一家專注於研發高效能GaN功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。
劍橋大學高電壓微電子與感測器(HVMS)小組負責人Florin Udrea將代表CUTS擔任首席顧問，劍橋大學的HVMS小組在功率裝置設計、TCAD模擬以及功率裝置表現方面擁有長達25年的豐富經驗。此次三方合作，將致力於推動一項「採用先進GaN解決方案的創新低功率和高功率切換模式電源供應器」的技術專案。
群電在電源先進技術居全球領先地位，劍橋大學的HVMS小組以其在功率半導體裝置方面的研究和創新而聞名，而CGD透過執行長Giorgia Longobardi和技術長Florin Udrea與劍橋大學建立了長期穩固的聯繫，Florin Udrea至今仍然是HVMS小組的負責人。
因此，本次三方合作代表著一個重要的GaN生態系的誕生，該生態系將匯聚系統和應用、研究和裝置等各方面的專業知識。這項合作專案預計將提供高效率、高功率密度的筆記型電腦電源供應器原型，同時也將提供適用於資料中心和AI伺服器應用的鈦金牌+高效率/高功率密度(> 100W/立方英寸) CRPS和OCP機架(3kW至6kW)的電源供應裝置原型。
群電總經理曾國華表示，群電期待與CGD和HVMS合作，因為他們在GaN方面擁有豐富專業知識；CGD已交付第二代ICeGaN系列產品，該系列在耐受度和易用性方面表現非常優異；CGD起源於劍橋大學，至今與劍橋大學仍保持緊密聯系，公司擁有25年的學術經驗，歷史比許多其他成熟的GaN公司還要長遠。
CGD執行長Giorgia Longobardi表示，群電為全球領先的電源供應器製造商，因此這份協議代表著CGD為客戶和整個社會提供高效功率裝置技術歷程中一個令人難以置信的里程碑；藉由結合CGD業務和劍橋大學全球聞名的HVMS小組的優勢，將加速高能量密度電源解決方案在各種廣泛應用中的開發和普及。
CGD近期推出了採用ICeGaN技術的的第二個650V GaN HEMT系列產品，稱為H2系列。這款ICeGaNH2系列採用了CGD獨特的智慧閘極介面，幾乎消除了一般E-mode GaN器件的各種缺陷，顯著提升了耐壓性能，提供更高的抗雜訊閾值，並增強dV/dt雜訊抑制和ESD保護效果。
新型的650V H2 ICeGaN電晶體與前代裝置相同，可以輕鬆使用市售的工業閘極驅動器來驅動。此外，ICeGaNH2系列的QG比矽基零件低10倍，QOSS則低5倍。這將有助提高切換頻率，減少切換損耗，進而縮小電源供應器的尺寸和重量。
