IC封裝技術產業概況
近年來IC外部封裝型態從DIP(Dual Inline Pacjage兩排直立式封裝)、SOP(Small Out-line
Package小外形封裝)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier塑料式引線晶片承載封裝)、QFP(Quad Flat Package
四方封裝)、PGA(Pin Grid Array 針格陣列)轉向BGA(Ball Grid Array球格陣列)、CSP(Chip Scale
Package晶粒尺寸封裝) 等新封裝型態。而在內部封裝技術部分也從Wire Bonding(打線封裝)逐漸轉往Flip-chip(Flip Chip
Package 覆晶封裝)技術。其主要原因，一在於晶片快速往高效能需求發展，如CPU、主機板Chipset、Graphic Card、HDTV、Set Top
Box
、3G手機等高階DSP；二則是隨著12吋晶圓與0.13微米以下製程量產後，封裝晶粒體積越來越小與降低封裝成本需求。使得BGA、CSP等新封裝型態與Flip-chip封裝技術成長極為快速。
傳統舊式IC封裝採用導線架作為IC導通線路與支撐IC的載具，接腳位於導線架的兩邊(DIP)或是四周(QFP)，然而當所需pin腳增多到300pin以上時，受到IC週邊空間限制，傳統QFP等封裝技術便無法滿足需求。取而代之的便是使用IC載板的封裝技術，其優點具備(1)多接腳化(2)縮小封裝面積
(3)改善電性及散熱性(4)高密度化，主要作用在於為晶片提供保護、支撐、散熱的通道，並形成標準安裝尺寸，也因晶片技術不斷朝高頻、高PIN腳數發展趨勢下，IC載板於封裝領域中的應用愈來愈廣泛。
主要封裝技術介紹
一、Flip-chip(Flip Chip Package 覆晶封裝)：
覆晶封裝技術是一種將晶面朝下並藉由金屬凸塊與承載基板接合的積體電路封裝體。封裝過程以錫鉛凸塊(Solder
Bumps)或金凸塊直接生長在晶圓表面，將晶片正面朝下，透過精密對位與貼合技術，使晶片的接合點(pad)與基板的接合點精準連接。
由於覆晶封裝在高I/O埠數應用及高散熱需求表現相當突出，對於半導體元件的效能有高度的改善，因此市場潛力高，但也伴隨著技術門檻提高與研發、製程成本提高。
從應用面來看可分為三個領域：
1.PC與NB領域
FC載板在PC與NB領域主要的用途有：微處理器CPU、北橋晶片組、南橋晶片組及其他高速晶片組，另外目前繪圖晶片的訊號處理量僅次於CPU，在高訊號量的工作之下，傳輸速度要求較高，且產生的餘熱也是相當大，因此在2003年繪圖晶片廠商便紛紛開始改採覆晶技術封裝。
2.通訊領域
由於覆晶載板的傳輸路徑極短，訊號強度得以完整保存，因此應用在無線通訊或高頻通訊時，更能降低延遲與雜訊，相關通訊領域的應用目前也逐步增加。
3.高散熱用途
散熱優異也是覆晶技術中重要的一環，由於高速處理器將帶來更多餘熱，也直接影響到晶片的效能和正常的使用率，也成為未來考量晶片封裝被重視的一塊。
二、BGA(Ball Grid Array球格陣列)：
BGA是在晶粒底部以陣列的方式佈置錫球，以錫球代替傳統以金屬導線架在周圍做引腳的方式。好處在於同樣尺寸面積下，引腳數可以變多，相較於QFP，其封裝面積及重量只有一半。因此BGA封裝主要應用在300pin接腳以上的高密度構裝產品，如晶片組、CPU、Flash、部份通訊用IC等，使其需求成長率遠高於其他型態的封裝方式。
BGA屬外部封裝型態，其內部封裝技術可採用Wire Bonding或是Flip-chip。使用Wire
Bonding技術由於黏著墊只能製作在晶片的四周，如果是使用Flip-chip技術，則可以將黏著墊製作在晶片的任何位置，因此可以容納更多數目的金屬球，這也是目前主流CPU使用最廣泛的方式。
三、CSP(Chip Scale Package晶粒尺寸封裝)：
CSP又稱為裸晶封裝(Bare
package)，通常是使用在封裝後體積要求很小的狀況，一般要求封裝後的積體電路面積小於1.2倍的晶片尺寸。大多應用在記憶卡、IC金融卡、IC健保卡、智慧卡(如捷運悠遊卡)、手機SIM卡或一般門禁非接觸性的感應卡等。若依設計、材料、應用等特性可概略分為四種：導線架型(Lead
Frame)、軟質基板型(Flex)、硬質基板型(Rigid)及晶圓晶方級尺度型(Wafer Level，簡稱WL)。
Flip-Chip載板產能需求大幅提昇
Intel自2006年下半年起推出雙核心處理器(Dual Core
CPU)，將製程技術微縮至65奈米世代，使用到4+4+4的十二層覆晶基板(FCBGA)。整體06年Inte雙核心處理器在伺服器、桌上型電腦與NB市場出貨比重達85％、70％及
70％，至2007年底將達到90％以上。
2007年11月13日Intel更率先推出首款45奈米高效能Penryn四核心處理器Core 2 Extreme
QX9650(核心研發代號為Yorkfield)。Penryn將具有雙核心和四核心版本。電晶體數目分別高達4.1億和8.2億個。相較於65奈米製程產品，45奈米製程令處理器的電晶體密度提高了兩倍，電晶體交換速度提升了30％，耗電量卻降低20%。Intel也預測45奈米處理器將在2008第三季達到50%以上。
目前FC基板搭配Intel未來產品的發展方向將由Dual Core持續向Quad
Core邁進，製程則由目前的65奈米在08年推進到45奈米，至2009年更將推出32奈米先進製程。FC載板近幾年演進的過程為Pentium
M(2+4+2)到Dual Core(4+4+4)，再到Quad
Core(5+4+5)，高層數比重也將逐漸提高。從產能面來看，由(3+2+3)到(4+2+4)多消耗了30%的產能幅度，而由(4+4+4)到(5+4+5)產能更將減少50%，因此在未來在高階產品比重將持續提高的情況下，2008年FC產能供應預估將吃緊。
而目前北橋晶片也自3Q07逐漸從六層板提升為八層板；Nvidia與ATi最新的繪圖晶片亦開始將覆晶載板提升為八層板；三大遊戲機PS3、XBOX360、Wii所採用的晶片也都採用六到八層FC載板；以及成長極為快速的Set
Top Box與HDTV所使用的DSP晶片組也開始大量採用六層FC載板。諸多應用都顯示出FC載板的需求榮景可期。
南電直接受惠，4Q07旺季持續，2008前景看好
南電為全球最大的覆晶基板(FC)廠，技術與日本大廠Ibiden、Shinko並駕齊驅，在生產成本上更具有競爭優勢。目前持續擴充FC產能由3Q07的26KK/月擴充至年底的30KK/月，至08年底FC產能將擴充至35KK/月。主要產品比重(3Q07)：Flip-chip產品
53%、傳統PCB產品29%、Wire Bonding產品18%。
2006年IC載板市場需求急速成長，使得過多競爭者介入，產能大幅擴充，在2006年第三季市場造成供過於求，加上Vista延後上市，PC、NB換機潮並未如預期發酵，造成IC載板價格迅速走低，也讓大部分企業，對於今年產能擴增幅度明顯保守，避免重蹈覆轍。而今年NB需求顯著回溫，加上下半年PC旺季效應，帶動FC需求升溫，價格也因此持續維持。
第三季Intel庫存水位季減14%，周轉天數降至66天，為兩年來新低點，加上Intel在新的Chipset設計上FC載板層數由六層提升至八層，其主要供應商(Ibiden、Semco與南電)中的SEMCO
受到製程調整不順，促使Intel
拉高對南電Chipset的提貨比重。此外在HDTV的DSP（數位訊號處理器）晶片由於功能不斷增加，設計趨向複雜化。使得下半年起國際大廠DSP晶片採用FC製程比重提升，下半年單月出貨量成長三倍，預估08年仍將呈現大幅成長趨勢。
南電3Q07的單季營收為101億元(QoQ成長28.3%，YoY成長7.7%)。在FC產品比重增加下與整體產能利用率提升下，單季毛利由07Q2的20.2%大幅提升至26.6%。稅後淨利24.3億元，EPS
3.95元。預估4Q07營收達116億元(QoQ成長14.9%，YoY成長21%)，單月營收將逐月創新高，毛利率仍將受惠於FC比重提升，上升至28%，稅後淨利28.2億元，EPS
4.6元。預估2007年全年營收預估為386億元(YoY+5.9%)，稅後淨利86.5億元，EPS14.2元。
結論
投顧認為南電自第三季起營運已持續回溫，明年在Intel新一代處理器推出以及FC載板技術在多方面均呈現強勁需求，業內短期內對於產能擴充均尚有去年跌價陰影的狀況下，南電可望持續在08年受惠且大幅成長。加上南電相較於其他同業，全無員工配股稀釋問題。預估08年營收482億元(YoY+25.6%)，稅後EPS
18.7元，設定目標價281元(08年PER 15X)。
