台灣積體電路製造股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

台灣積體電路製造股份有限公司成立於1987年2月21日，為全球最大的專業積體電路(IC)製造服務公司，其經營策略為只提供客戶專業積體電路之製造技術服務，而不設計、生產、或銷售自有品牌產品，不與客戶做商品之競爭。

公司首創建置資訊平台—虛擬晶圓廠(Virtual Fab)，提供整套服務，客戶亦可從晶圓廠、封裝廠到測試廠整個供應鏈掌握訂單進度。

公司於1994年9月5日上市，其ADR於1997年10月8日在NYSE掛牌，股票代碼為TSM。

公司於2023年7月28日啟用位於竹科寶山的全球研發中心。

2.營業項目與產品結構

業務範圍涵蓋IC製造服務及其相關項目，提供包括晶圓製造、光罩製作、晶圓測試與錫鉛凸塊封裝及測試等客戶支援服務。

2024年Q4製程比重為3奈米26%、5奈米34%、7奈米14%、16奈米7%、28奈米6%、40/45奈米3%、65奈米4%、90奈米1%、0.11/0.13微米2%、0.15/0.18微米3%；技術平台比重為高效能運算53%、智慧型手機35%、物聯網5%、車用電子4%、消費性電子1%、其他2%。

產品圖：

圖片來源：公司網站

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

台積電在技術及產能均居產業領導地位，是全球第一家有能力量產40奈米以下技術的晶圓代工廠，其40奈米規模與良率優於同業，40奈米佔全球8～9成市佔，28/20奈米生產時程至少領先同業三季以上。

(1)邏輯製程技術
・2奈米(N2)技術
・3奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)(N3)技術
・N3增強型(N3 Enhanced，N3E)技術
・N3強效版(N3P)技術
・N3X技術
・4奈米FinFET(N4)技術
・N4強效版(N4P)技術
・N4X製程技術
・5奈米FinFET強效版(N5 Plus，N5P)技術
・6奈米FinFET(N6)技術
・N6超低功耗(Ultra Low Power，ULP)技術-N6e™
・7奈米FinFET(N7)及7奈米FinFET強效版(N7+)技術
・奠基於12奈米FinFET精簡型強效版(12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+)的N12e™技術
・22奈米超低漏電(Ultra-Low Leakage, ULL)(22ULL)技術

(2)特殊製程技術
・Auto Early(N3AE)解決方案
・N4P射頻(Radio Frequency, RF)(N4P RF)技術
・5奈米FinFET車用(N5A)技術
・N6 RF技術
・12FFC+射頻技術
・16奈米FinFET精簡型(16nm FinFET Compact, 16FFC)射頻技術
・16FFC嵌入式磁性隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)技術
・22ULL及28奈米超低漏電(28ULL)嵌入式電阻式隨機存取記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)技術
・十二吋晶圓40奈米絕緣層上覆矽(Silicon On Insulator, SOI)(N40SOI)技術
・第二代六吋矽基板氮化鎵(Gallium Nitride on Silicon, GaN)技術
・互補式金氧半導體影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)技術
・COUPE(COmpact Universal Photonics Engine)三維立體光子堆疊技術

(3)TSMC 3DFabric®
・TSMC-SoIC®(系統整合晶片)晶片對晶圓(Chip on Wafer, CoW)堆疊技術
・TSMC-SoIC®晶圓對晶圓(Wafer on Wafer, WoW)技術
・CoWoS®-S(Chip on Wafer on Substrate with Silicon interposer)技術
・CoWoS®-R(Chip on Wafer on Substrate with Redistribution Layer Interposer)技術
・整合多個同質系統單晶片至2.5倍光罩尺寸扇出封裝的整合型扇出暨封裝基板(Integrated Fan-Out onSubstrate, InFO_oS)技術
・針對穿戴式裝置產品的多晶片整合型扇出層疊封裝(Integrated Fan- Out ulti-chips with Package-on-Package, InFO_M_PoP)技術
・應用於3奈米晶圓覆晶封裝的細小間距陣列銅凸塊(Cu bump)技術

2.重要原物料

公司產品所需之原物料包括矽晶圓、製程用化學原料、黃光製程材料、氣體，以及研磨液、研磨墊、鑽石碟等。

3.主要生產據點
 

2020年5月公司宣布將於美國亞利桑那州設廠，投資總額達400億美元，新廠主要生產5奈米製程技術半導體晶片，2021年動工，預計2025年量產。第二期工程預計2026年量產3奈米製程。

2021年11月公司與Sony Semiconductor Solutions Corporation共同宣布，雙方將合作在日本熊本縣興建一座晶圓廠「Japan Advanced Semiconductor Manufacturing(JASM)」，其中Sony Semiconductor Solutions將出資約5億美元、取得JASM不到20%的股權。而2022年2月DENSO投資3.5億美元取得JASM超過10%的股權。JASM熊本廠資本支出由原先70億美金提高到86億美元，提供22/28奈米製程及12/16奈米鰭式場效製程，於2022年4月開始興建，預計2024年底量產。公司規劃於2025年內在熊本縣菊陽町興建第二座工廠，總投資約1兆日圓，用於生產12奈米晶片，預計2027年底量產。

2021年11月公司決議將在高雄設廠，設立生產7奈米及28奈米製程的晶圓廠，2022年10月宣布調整產能規劃，優先切入28奈米，2023年7月調整為2奈米廠，預計2025年量產。

2023年8月宣布與Infineon、NXP及Bosch合資成立歐洲半導體製造公司(ESMC)，在德國德勒斯登興建12吋晶圓廠，切入28奈米生產車用相關晶片，該廠預計於2027年底前量產。

公司於2024年8月以171.4億元購買群創南科5.5代面板廠(南科4廠)廠房及附屬設施，預定2024年11月點交，預計2025年Q1開始裝機試產、2025年下半年投產，將納入晶圓代工與3D IC，初期建置以CoWoS產能為主。

公司於2025年3月宣布將在美國興建三座晶圓廠、二座先進封裝廠及一座研發中心。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

公司主要服務客群為無晶圓廠設計公司、整合元件製造廠，客戶包含AMD、Amazon、Broadcom、Intel、聯發科、NVIDIA、NXP Semiconductors、Qualcomm、Renesas Electronics、Sony Semiconductor Solutions、STMicroelectronics等。

2.國內外競爭廠商

晶圓代工業務競爭對手包含SAMSUNG ELEC、中芯國際、聯電、GlobalFoundries、華虹半導體、Tower Semiconductor、力積電、晶合集成等公司。