聯華電子股份有限公司

(一)公司簡介

1.沿革與背景

聯華電子股份有限公司成立於1980年5月22日，總部位於新竹市，為台灣第二大、全球前十大晶圓代工廠。1985年7月16日上市。

2.營業項目與產品結構

2024年Q2製程比重為22/28nm 33%、40nm 14%、65nm 15%、90nm 12%、0.11/0.13um 11%、0.15/0.18um 10%、0.25/0.35um 5%、≥0.5um 2%；產品終端應用比重為通訊39%、消費性31%、電腦15%、其他15%。

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

公司以先進製程技術提供晶圓製造服務，提供14奈米到0.6微米等製程技術，為IC產業各項應用產品生產晶片，依據客戶需求提供邏輯與混合信號、嵌入式非揮發性記憶體、高壓、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體、微機電感測器及混合信號、射頻互補金屬氧化半導體技術、射頻絕緣半導體、2.5D/3D先進封裝、氮化鎵、砷化鎵等製程技術。

(1)互補金屬氧化半導體邏輯(CMOS Logic)製程：用以製造執行邏輯運算功能之晶片，如可程式化閘陣列、多媒體處理、應用處理器等晶片。

(2)混合訊號(Mixed-Signal)製程：用以製造同時處理類比/數位混合訊號之晶片，如寬頻接取通訊及光儲存等晶片。

(3)射頻互補金屬氧化半導體(RF CMOS)製程：用以製造高頻無線通訊之晶片，如手機射頻收發器、無線區域網路、藍芽等晶片。

(4)嵌入式記憶體(Embedded Memory)製程：用以製造整合邏輯製程和嵌入式記憶體製程的高性能、低耗電SoC晶片，如通用型微控制器、觸控晶片、智慧卡晶片、金融卡晶片、車規微控制晶片、物聯網低功耗微控制晶片等。

(5)高壓(High Voltage)製程：用以製造電視、手機、平板、AR/VR等LCD與AMOLED顯示驅動IC、電子紙螢幕驅動IC及電源管理IC等。

(6)CMO影像感測器(CMOS Image Sensor)製程：用以製造使用於數位相機、手機、筆電、光學滑鼠和電腦攝像頭之CMOS影像感測器。

(7)微機電系統(MEMS)製程：用以製造使用於麥克風、慣性感測器及氣體流量感測器等應用產品。

(8)立體鰭式場效應晶體管(3D FinFET)製程：用以製造高性能晶片，執行快速的邏輯運算功能之晶片，如基頻手機處理器、應用處理器、記憶體控制等晶片。

(9)射頻絕緣層上覆矽(RFSOI)製程：用以製造無線前段裝置如無線開關、低噪放大器，應用在手機、無線區域網路、無線基地台的無線開關晶片。

(10)砷化鎵(GaAs)製程：用以製造手機、通訊基地站Power Amplifier IC等。

(11)氮化鎵(GaN)製程：用以製造5G通訊基地站Power Amplifier，LNA等射頻IC，及用於手機、平板、筆記型電腦等高功率的行動充電器，資料工作站及伺服器主機的電源供應器和電動車DC-DC電源轉換器等。

(12)3D-IC技術：廣泛應用在各種應用，如影像感測器、高效能電腦、5G、資料運算中心、車用電子等。

2.重要原物料

IC製造之原物料包括矽晶片、製程用化學原料、光阻、氣體，以及研磨液、研磨墊與鑽石碟等。

3.主要生產據點

生產基地	廠房	晶圓尺寸
台南	12A廠	12吋
新加坡	12i廠	12吋
廈門	聯芯12X廠	12吋
日本	USJC 12M廠	12吋
新竹	8A廠	8吋
新竹	8C廠	8吋
新竹	8D廠	8吋
新竹	8E廠	8吋
新竹	8F廠	8吋
新竹	8S廠	8吋
蘇州	和艦8N廠	8吋
新竹	聯穎光電(WTK)	6吋

2022年2月公司宣布將在新加坡擴廠，主要製程為22及28奈米，預計2026年初量產。

(三)市場銷售及競爭

1.銷售狀況

2024年Q2客戶別：設計公司87%、整合元件廠13%；產品銷售地區比重為亞洲64%、北美25%、歐洲7%、日本4%。

2.國內外競爭廠商

公司主要競爭對手包括台積電、Samsung、GlobalFoundries、中芯半導體等公司。

(四)財務相關
 
1.合作案

聯電和Intel於2024年1月共同宣佈，雙方將合作在美國開發製造12奈米FinFET製程平台。