(文．羅毓嘉)

全球砷化鎵磊晶「二哥」全新(2455)近年來鴨子划水，在技術、成本優化、產能擴充等面向齊頭並進，協助客戶開發新產品的同時，還能省下更多成本。全新事業本部總經理黃朝興表示，陸續打入新客戶供應鏈以及供應既有客戶的新品磊晶原料，目標「成為全球主要射頻元件供應商的主要供應商」，長期市佔率並要往5成水位持續攻堅，挑戰英商IQE的全球最大砷化鎵磊晶廠地位。

全新以MOCVD(有機金屬化學氣相沈積)法生產砷化鎵磊晶，在砷化鎵磊晶產業市佔率約25%，僅次英商IQE的約50%。由於全新產品聚焦用於智慧型手機功率放大器(PA)的HBT(異質接面雙極性電晶體)磊晶，單就HBT產品而言，全新的市佔率更高，就全新產品組合來看，HBT佔營收比重超過8成，pHEMT(假型高速電子移動電晶體)佔約1成，至於結合HBT與pHEMT特質的BiHEMT產品佔比則為數個百分點。

全新專注MOCVD製程，長期市佔率拚5成

黃朝興表示，全新今年下半年營運計畫以擴增市佔率為主，要靠著磊晶技術提昇、成本優化，乃至產能擴充等面向齊頭並進，並在既有客戶手中取得更高供應比重，據以拉抬全新的整體市佔率。

據了解，全新今年強攻美系、日系客戶的磊晶供應鏈，不僅要取得新客戶、同時也要供應既有客戶的新產品所用之磊晶，拉抬營運聲勢。

黃朝興強調，全新持續與客戶合作開發，提昇磊晶片的使用效益、增進客戶產品價值；針對與客戶合作開發的磊晶片產出優化計畫，他則表示，技術細節不便透露，不過該項計畫可提昇客戶的晶圓晶片產出數(die count per wafer)達5-8%，等同於協助客戶降低生產成本，並藉此鞏固全新與客戶的合作關係。

針對全新目標「要成為主要射頻元件供應商的主要磊晶供應商」，黃朝興強調，一旦此目標達成，無論行動應用市場終端的勢力版圖如何變遷，全新都能靠著直接或間接客戶卡位供應鏈，確保業績的穩健。

事實上，國際品牌手機廠所採用的Avago、Skyworks、TriQuint與RFMD等大廠射頻元件，多數都可見到全新磊晶的蹤跡；而中國大陸智慧型手機供應鏈中，最大射頻元件供應商RDA則在全新客戶穩懋(3105)投片進行晶圓代工，等於全新穩站全球手機應用最上游位置，產業基礎十分穩固。

今年擴產5%，二廠年底落成產能可增6-7成

為了因應客戶水漲船高的產能需求，全新今年度產能擴充幅度約5%，因平鎮一廠廠房年底將全滿，全新的平鎮二廠已完成土木建設，無塵室建置則將在未來1-2季內完成；黃朝興表示，平鎮二廠廠房可用產能約為一廠的6-7成，將視未來發展需要引進機台，適度在二廠推動產能的擴充。

根據全新規劃，到今年底為止，全新的MOCVD機台數將超過40台，今年擴產幅度約為5%，不過在新機台就位後，全新的平鎮一廠廠房就將全數用罄，為了支應未來發展需要，全新的平鎮二廠土木建設已經竣工、各項執照也已到手，待1-2季後完成無塵室建置，隨時可以引進新機台，適時推動產能擴充。

黃朝興說明，全新的平鎮二廠因新一代MOCVD機台效率提昇，雖只有2層樓可放置機台，評估最大產能仍達到平鎮一廠的6-7成，將成為全新未來市佔率往上提昇的關鍵動能。

就砷化鎵磊晶未來應用成長來看，黃朝興看好智慧型手機、平板電腦帶動的PA顆數成長趨勢，且2014-15年4G LTE隨各國基礎建設成熟，4G終端裝置滲透率將大幅提昇，帶動PA、濾波器(filter)、無線開關需求續升；同時物聯網(The Internet of things)、802.11ac升級帶來的Wi-Fi元件需求，也將成未來數年砷化鎵產業成長的推手。

由於全新平鎮一廠廠房已滿，Q2產能利用率已逾8成的高水位，黃朝興指出，作為上游的材料供應商，全新必須在整體需求成長前先備妥產能、不可能在客戶訂單成長時才啟動擴產，因此二廠硬體設施在年底前將就緒，未來將視發展需要引進機台，適度在二廠推動產能的擴充，迎向下一波成長坡度。