2.04年第二季底和第三季初面臨三大變數
全球前四大DRAM廠商市佔率介於15~25%,茂德第五名、南科第六名、力晶第八名、華邦第九名、世界先進第十名,然而台灣廠商市佔率和一線大廠仍有相當大的差距,台商合計市佔率約17~18%。在華邦規劃僅替Infineon代工,世界先進退出DRAM領域,未來DRAM供應商的市佔率集中度還會提高,目前DRAM廠商,以Samsung擴建12吋廠的態度最為積極,Infineon現有一座12吋廠,未來可能不會獨自建廠,而會透過技術移轉和合資興建的方式,來取得產能,Elpida一直希望能夠重新回到領先集團,Micron和Hynix尚無12吋廠,這二家公司同樣期望經由技術移轉和代工,以減少資本支出,避免財務結構進一步惡化,另外,開發flash市場也是努力方向。
表九、03年DRAM廠商市佔率
廠商 |
產出(256MBb Equiv) |
03年市佔率% |
Samsung |
799 |
24.39 |
Micron |
669 |
20.42 |
Infineon |
554 |
16.91 |
Hynix |
507 |
15.48 |
ProMOS |
214 |
6.53 |
Nanya |
201 |
6.13 |
Elpida |
130 |
3.97 |
PowerChip |
91 |
2.78 |
Winbond |
64 |
1.95 |
Vanguard |
14 |
0.43 |
Others |
|
1.01 |
資料來源:茂德/元大京華投顧整理
台商是除了Samsung之外,對12吋廠興趣最高的業者,力晶12吋廠月產量在2Q到22K,已是全球以12吋廠生產DRAM的最大廠商,茂德下半年12吋廠月產量可到20K以上,這二家公司都有設立第二座12吋廠的計劃,南科轉投資華亞在3Q量產,華邦12吋廠進度最慢在年中明朗,四家業者全數投入12吋廠,以每座資金需求600~800億元計算,04年和05年廠商募資的動作將十分頻繁。
自03年下半年flash出現供應吃緊,Samsung就不停地將生產線轉往flash,包括Fab 6、Fab 7、Fab 8和部份Fab 12產能。03年元月份Samsung在DRAM市佔率30.11%,03年十二月市佔率降到27.04%,04年二月份再降到25.38%,Samsung 12吋新產能陸續開出,其DRAM市佔率郤持續滑落、Hynix也轉撥2座8吋廠去做flash、Micron轉二成產能生產CMOS,顯示這些大廠短期營運重心並未放在DRAM。04年初每顆1G NAND型flash報價約30美元,四月中約20美元,在過去一季跌幅達30%,Samsung預估04年底會跌到15~16美元,NAND型flash報價一年跌50%,Samsung還積極介入,因為即使在15~16美元,Samsung仍可獲取50%以上毛利,透過這種政策性的降價,來阻止其他廠商蜂湧而入。由於Samsung產能龐大,其調撥產能的動向,是預測供給的最大變數。
表十、DRAM廠商12吋廠進度
|
2003年 |
2004年 |
公司 |
廠名 |
最大月產能 |
1Q |
2Q |
3Q |
4Q |
1Q |
2Q |
3Q |
4Q |
南亞科 |
Fab 3 |
50,000 |
|
|
|
|
|
|
10,000 |
20,000 |
力晶 |
Fab 2 |
35,000 |
12,000 |
15,000 |
15,000 |
15,000 |
15,000 |
22,000 |
25,000 |
28,000 |
茂德 |
Fab 1 |
20,000 |
9,000 |
9,000 |
9,000 |
13,500 |
15,000 |
16,000 |
22,000 |
26,000 |
Samsung |
Fab 12 |
30,000 |
|
|
13,000 |
13,000 |
13,000 |
13,000 |
13,000 |
13,000 |
|
Fab 13 |
|
|
|
|
|
|
|
|
10,000 |
Infineon |
SC 300 |
25,000 |
16,000 |
16,000 |
18,000 |
18,000 |
20,000 |
20,000 |
20,000 |
20,000 |
Elpida |
Fab 1 |
20,000 |
3,000 |
5,000 |
10,000 |
15,000 |
16,000 |
20,000 |
20,000 |
20,000 |
SMIC |
|
|
|
|
|
|
|
|
3,000 |
6,000 |
資料來源:元大京華投顧整理
表十一、Samsung生產線
廠名 |
位置 |
產品 |
投產時間 |
晶片大小 |
製程 |
Fab 1 |
Kiheung,Korea |
LSI,Others |
1986 |
125 |
0.5 |
Fab 2 |
Kiheung,Korea |
LSI |
1988 |
150 |
0.5 |
Fab 3 |
Kiheung,Korea |
LSI |
1990 |
150 |
0.35 |
Fab 4 |
Kiheung,Korea |
LSI |
1991 |
200 |
0.25 |
Fab 5 |
Kiheung,Korea |
LSI |
1993 |
200 |
0.25 |
Fab 6 |
Kiheung,Korea |
DRAM、SRAM、Flash |
1995 |
200 |
0.25 |
Fab 7 |
Kiheung,Korea |
16M、64M、SRAM、Flash |
1996 |
200 |
0.15 |
Fab 8 |
Kiheung,Korea |
64M、128M、SRAM、Flash |
1Q1997 |
200 |
0.15 |
Austin |
Austin,USA |
64M、128M、256M |
1Q1998 |
200 |
0.15 |
Fab 9 |
Kiheung,Korea |
128M、256M、512M |
3Q1999 |
200 |
0.13 |
Fab 10 |
Hwasung,Korea |
128M、256M、512M |
3Q2000 |
200 |
0.13 |
Fab 11 |
Hwasung,Korea |
256M、512M、1G |
3Q2001 |
200 |
0.12 |
Fab 12 |
Hwasung,Korea |
256M、512M、1G |
3Q2003 |
300 |
0.12 |
Onyang |
Onyang,Korea |
LSI、Others |
4Q2003 |
200 |
0.13 |
Fab 13 |
Hwasung,Korea |
DRAM |
2004 |
300 |
0.10 |
Onyang |
Onyang,Korea |
LSI、Others |
4Q2003 |
200 |
0.13 |
資料來源:Samsung/元大京華投顧整理
第二個變數在華亞半導體,規劃在下半年投產,初期月產10K,年底到20K,因華亞是全球第一座直接採用0.11微米製程的12吋廠,每片產出顆粒最高可達1400顆,比力晶改良製程的產出量多10%,以元月份全球月產出256Mb 298.6百萬顆,華亞年底月產量可讓供給增加7.5%,若華亞月產量提前到20K,或力晶、茂德產能提昇過快,都會使得供給增加超過預期。
中芯位於北京的第一座12吋廠在六月份投產,中芯晶圓代工訂單不足,先後爭取到替Infineon和Elpida代工 DRAM的合約。中芯現有3座8吋廠,合計月產50K,12吋廠年底月產量6K,合計最大DRAM月產量和華亞相當,中芯如何分配這些產能,是第三個變數。
表十二、廠商DRAM月產能轉換至其他產品
月產能(k) |
產品 |
03/3Q |
03/4Q |
04/1Q |
04/2Q |
04/3Q |
04/4Q |
Hynix |
flash |
|
3 |
5 |
7 |
9 |
11 |
Infineon |
flash |
|
2 |
4 |
6 |
10 |
13 |
Samsung |
flash |
40 |
40 |
45 |
50 |
55 |
60 |
1T SRAM/DRAM |
2 |
3 |
5 |
9 |
11 |
13 |
ProMOS |
1T SRAM/DRAM |
3 |
5 |
8 |
12 |
20 |
20 |
Winbond |
1T SRAM/DRAM |
12 |
17 |
18 |
18 |
20 |
22 |
Micron |
1T SRAM/DRAM |
3 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
Others |
1T SRAM/DRAM |
4 |
6 |
8 |
9 |
10 |
12 |
Total |
|
64 |
81 |
100 |
120 |
144 |
165 |
Potential Capacity |
|
5.8 |
7.4 |
9.1 |
10.9 |
13.1 |
15 |
資料來源:各公司/元大京華投顧整理
以今年各廠商投片量及製程轉換進度,預估04年全球DRAM廠商256Mb DRAM合計產出13,050百萬顆,較03年成長46.6%,相當於137,450MB。DRAM主要需求仍來自電腦,要預估04年整體需求量,要分別預估桌上型、NB、伺服器、繪圖卡的出貨量及搭配的記憶體容量。03年桌上型搭載的DRAM容量由年初296Mb提昇到年底375Mb,NB搭載的容量比桌上型略低,伺服器出貨台數每月在40~50萬台,因為本身功能在提供大量資料的讀取,每台搭載的記憶體容量相當高。認為04年電腦產品搭載的容量,在廠商推出512Mb記憶體之後,仍會持續增加。
合計總需求137,450百萬MB,全年供給/需求=1.03,呈現供給微幅超過需求,若廠商投片量和製程轉換的進度不如預期,供需的差距會進一步縮小,甚至出現供給低於需求,一但發生這種現象,廠商會加快擴產的動作,因而供不應求,有可能短期出現。再分析各季供給/需求,上半年的供應相當充足,下半年有不足的疑慮,以供給/需求的預估數字來看,DRAM在下半年可有不錯的走勢,但行情在1Q提前發動,即有可能是PC大廠先行建立部份庫存,若現在已買進足夠的DRAM,下半年就難有大行情,所以PC大廠的庫存水準和銷售狀況是關鍵因素。Samsung 0.11微米製程在五月份量產,中芯12吋廠在六月份量產,華亞在七月份加入營運,2Q為全年供需最充足,預估供給/需求=1.12,也是變數最大的一季,只要2Q報價沒有出現重挫,報價在下半年拉回的空間就會很有限。
表十三、預估DRAM廠商月產出量(256Mb百萬顆)
|
1Q |
2Q |
3Q |
4Q |
合計 |
Samsung |
250 |
262 |
300 |
306 |
1,118 |
Hynix |
152 |
150 |
162 |
168 |
632 |
Micron |
151 |
159 |
165 |
174 |
649 |
Infineon |
159 |
165 |
183 |
195 |
702 |
ProMOS |
63 |
66 |
84 |
96 |
309 |
Winbond |
10 |
9 |
9 |
9 |
37 |
Powerchip |
39 |
79 |
102 |
111 |
331 |
Vanguard |
3 |
3 |
|
|
6 |
Nanya |
58 |
66 |
85 |
105 |
314 |
Elpida |
28 |
30 |
42 |
45 |
145 |
Toshiba |
15 |
15 |
15 |
15 |
60 |
合計256 Mb |
924 |
1,002 |
1,147 |
1,224 |
4,297 |
合計 M MB |
29,567 |
32,048 |
36,686 |
39,150 |
137,451 |
資料來源:元大京華投顧預估
分別以3.5美元、4美元、4.5美元、5美元和5.5美元的全年均價,來預估相關廠商04年獲利,由於1Q均價約在4美元,四月份合約價約5美元,現貨價5.7美元,除非下半年報價大跌或大漲,否則全年均價為3.5美元或5.5美元的機率不大,4-5美元為合理的區間。
表十四、2003年各電子產品搭載記憶體容量
月份 |
一 |
二 |
三 |
四 |
五 |
六 |
七 |
八 |
九 |
十 |
十一 |
十二 |
DT |
296 |
307 |
322 |
338 |
351 |
363 |
370 |
362 |
363 |
365 |
370 |
375 |
NB |
273 |
295 |
302 |
320 |
336 |
340 |
344 |
339 |
348 |
355 |
357 |
360 |
SERVER |
2222 |
2263 |
2273 |
2314 |
2324 |
2345 |
2391 |
2412 |
2417 |
2422 |
2437 |
2447 |
VGA |
41 |
40 |
40 |
42 |
42 |
44 |
47 |
48 |
48 |
50 |
51 |
52 |
資料來源:DRAMeXchange200309/元大京華投顧整理
表十五、預估電腦對DRAM月需求量
|
|
1Q |
2Q |
3Q |
4Q |
出貨量(千台) |
DT |
26,988 |
26,903 |
30,348 |
34,630 |
NB |
8,881 |
9,873 |
11,366 |
13,563 |
SERVER |
1,302 |
1,249 |
1,586 |
1,631 |
需求量(Mb) |
DT |
11,122 |
11,867 |
14,467 |
17,732 |
NB |
3,509 |
4,129 |
5,065 |
6,570 |
SERVER |
3,206 |
3,164 |
4,076 |
4,260 |
合計(MB) |
|
17,838 |
19,160 |
23,608 |
28,560 |
資料來源:元大京華投顧預估
表十六、各種DRAM年均價之廠商每股稅後盈餘
|
南科 |
力晶 |
茂德 |
3.5美元 |
0.84 |
3.39 |
1.48 |
4美元 |
1.99 |
4.37 |
2.12 |
4.5美元 |
2.21 |
6.20 |
3.28 |
5美元 |
2.55 |
8.09 |
4.43 |
5.5美元 |
2.84 |
9.75 |
5.40 |
資料來源:元大京華投顧預估
四、相關廠商營運概況
1.華邦:邏輯產品價格在第二季有調漲空間
現有二座8吋廠合計月產40K、一座6吋廠月產55K。華邦在01年開始進行企業轉型,標準型DRAM佔整體營收比重由02年80%持續降到03年43%,根據華邦和Infineon達成的技轉協議,在華邦電成功導入0.11微米製程之後,8吋廠要有20K產能回銷給Infineon,除此之外華邦將完全退出標準型DRAM市場,而空出之產能將轉往生產特殊型DRAM和Pseudo SRAM,其中Pseudo SRAM月產出從03年第三季每月6500片到04年第一季每月1.3萬片。另外04年第一季以0.18微米製程生產32Mb的Winstack開始出貨,手機用128Mb的ACT1進度落後,預計05年才會開發完成。邏輯產品佔營收30%,產品包括LCD Driver IC、DSC IC等,以6吋廠生產平均毛利率將近40%,漢磊、中美晶、合晶近期股價漲翻天,都是受惠於小尺寸生產線營運大幅好轉所賜。華邦130萬畫素手機相機、200 萬畫素和300萬畫素用後段影像處理晶片,在03年底獲手機大廠認証分別在2Q和3Q量產。
和台灣同業相較,華邦電12吋廠投產的進度明顯落後,由於單靠公司現有產品項目是無法填滿一座12吋廠的產能,公司最快會在六月份說明合作對象和產能規劃,屆時才能了解華邦是否能有在後追趕的力道。預估第一季每股稅後盈餘0.40元,全年1.41元。
表十七、DRAM廠近半年營收狀況(千元)
|
Oct-92 |
Nov-92 |
Dec-92 |
Jan-93 |
Feb-93 |
Mar-93 |
華邦 |
2,892,699 |
2,696,000 |
2,660,886 |
2,219,699 |
2,749,219 |
3,011,080 |
南科 |
2,816,691 |
2,759,822 |
2,728,601 |
2,605,016 |
2,758,405 |
3,177,390 |
力晶 |
2,916,793 |
2,823,817 |
2,820,364 |
3,105,270 |
3,311,891 |
4,119,073 |
茂德 |
2,736,680 |
2,554,872 |
2,795,988 |
2,768,992 |
3,204,514 |
3,599,642 |
資料來源:TEJ/元大京華投顧整理
2.南科:新產能集中在下半年
二座8吋廠合計月產73K,產能90%生產DRAM、10%晶圓代工。根據04年產能規劃,八吋廠預計在第二季導入0.11微米製程,第三季量產,0.11微米產出顆粒比0.14微米多62%,華亞12吋廠在第三季投產,初期單月1萬片,12吋每顆的晶圓成本比8吋少30%,以此來看,預估南亞科第一季產出量較上季成長5%、第二季再成長7%、第三季再成長25%、第四季再成長40%,產能在下半年會有相當明顯的增加,成本則可大幅下降,下半年會是南亞科營運展望較為樂觀的時點。預估其04年DRAM產出約360百萬顆,成長52%,華亞佔8~10%產出量。
南亞科營運策略先以提昇DRAM市場佔有率為優先考量。根據南亞科和Infineon的協議,華亞在05年底月產量增加到5.5萬片之前,會以生產DRAM為主,在華亞量產後,南亞科規劃一座8吋廠在05年底全部轉去晶圓代工。第一季稅後盈餘0.28元,預估全年1.99元。
3.力晶:12吋廠策略成功
現有1座8吋廠月產38K、1座12吋廠,近期全球DRAM廠商進行0.11微米製程轉換,唯進度並不順利,就力晶所知,目前0.11微米製程良率超過60%的廠商只有Elpida和力晶,Samsung五月份0.11微米製程可以加入。力晶年初十二吋廠月產15K,三月份擴充到22K,規劃第二季底提高到30K。12吋廠的成本比8吋廠少30%,力晶改良式0.11微米製程生產的顆粒比0.13微米多10%,目前全球擁有12吋的DRAM業者僅有Samsung、Elpida、Infineon、力晶和茂德,力晶並規劃下半年全面導入0.11微米,就全球DRAM廠商的生產成本來看,力晶每顆成本約2.8~3.0美元,是成本最具競爭力且月產量最大的廠商。替Renesas代工的AG-AND型flash晶片提前在六月份量產,預計佔12吋廠04年產出量13%,年底月產量最高到10K,力晶和Renesas以利潤方享方式來搶佔市場。第一季每股稅後盈餘0.95元,全年4.47元。
表十八、模組廠近半年營收狀況(千元)
|
Oct-92 |
Nov-92 |
Dec-92 |
Jan-93 |
Feb-93 |
Mar-93 |
創見 |
1,087,698 |
912,917 |
993,136 |
1,021,155 |
1,013,604 |
1,178,742 |
勁永 |
1,133,421 |
815,000 |
930,783 |
897,635 |
725,899 |
1,037,821 |
品安 |
529,262 |
472,845 |
493,274 |
543,364 |
553,962 |
636,487 |
資料來源:TEJ/元大京華投顧整理
4.茂德:財務結構逐漸穩定
現有一座8吋廠月產44K、一座12吋廠,公司努力提昇合約客戶比重,規劃04年合約客戶佔70%,近期也持續降低DRAM現貨比重,將產能移去晶圓代工業務,預估年底代工片數至21K,相當於佔8吋廠50%出片量。目前晶圓代工業務訂單來自Low Power SDRAM和Pseudo SRAM,用於DSC、PDA、手機、04年下半年開始生產Nor Flash,用於手機記憶體。
希望能夠向Hynix取得90nm技術及共同研發新製程,若Hynix部份晶圓代工訂單願交給茂德代工,茂德會優先考慮利基型DRAM和Flash。第二座12吋廠規劃二條生產線,每條月產25K,以90nm生產512M/1G DDRII,為後續營運成長動力。預估第一季每股稅後盈餘0.28元,全年2.12元。
主要業務為購入記憶體顆粒,再加上PCB板、電阻和電容等零組件組成模組,因DRAM市場漸成熟,04年發展重心都轉向能夠用在記憶卡、MP3、隨身碟的flash。iSuppli預估04年DRAM模組市場成長27%達176億美元,其中PC OEM佔50%、白牌佔39%、升級需求佔11%。
表十九、模組廠03年產品比重及04年規劃
|
03年 |
04年 |
|
DRAM |
flash |
DRAM |
flash |
創見 |
70% |
30% |
65% |
35% |
勁永 |
50% |
50% |
20% |
80% |
品安 |
76% |
26% |
70% |
30% |
資料來源:電子時報200401/元大京華投顧整理
1.創見:毛利率穩居同業之冠
現有六條生產線,月產60萬條,規劃年底前將產能增加到90萬條以上,03年共生產400萬條模組、200萬條flash。特殊型和標準型模組佔營收67%、flash佔30%、其他佔3%。第一季營收較同期成長62%,然而DRAM顆粒漲幅過大,創見為了照顧客戶並未完全反應成本,毛利率略受不利衝擊,情況在第二季可得到改善。創見在第二季陸續推出1.8吋行動硬碟、數位相機行動碟、電子相簿、多功能MP3隨身碟等,公司內部預估新產品佔04年營收10%、毛利率20%。第一季每股稅後盈餘2.10元,全年9.6元。
2.勁永: flash營收第二季增加
現有五條生產線,三條生產flash,二條生產DRAM。勁永目前專注在flash相關業務,主力產品為CF卡,勁永產品容量為256K和512K,毛利較好,而其他產品涉及權利金,公司是購入成品再貼牌,以獲取固定利潤。DRAM事業部獲利來源包括賺取穩定的佣金收入和從事價差交易,為了降低營運風險,DRAM相關產品銷售由持股52%勁強負責,因為勁強本身並沒有生產工廠,勁永是購入顆粒做成模組或直接將顆粒交給勁強銷售,勁永採接單式生產,客戶僅有勁強一家,並沒有生產利基型DRAM,也不會主動開發。顆粒來源有力晶、友尚和Infineon等,貨源充足。蘇州廠規劃五條生產線,長期訂單和標準型在當地生產,短單仍由台灣生產,台灣廠將不會有擴產計劃。
公司原規劃將04年Flash記憶卡月營收貢獻提昇到6億元,然而Samsung的Flash顆粒供應不足,使得出貨不順,公司預估flash吃緊最快可在第二季舒緩,第二季flash營收貢獻增溫。預估第一季每股稅後0.89元,全年3.81元。規劃辦理1億元現金增資,每股溢價40元,及4億元可轉換公司債。
3.品安:發展自有品牌產品
目前記憶體模組月產能70萬條、隨身碟月產能10萬支,為台灣地區第六大模組廠。03年DRAM記憶體模組銷售分為二個部份,一為通路品牌佔60%、一為替南亞科技代工佔40%,由於通路品牌的利潤較低,規劃04年降低通路品牌的比重轉向發展自有品牌,替南亞科技代工的比重不變。
品安近期將陸續推出新款隨身碟、MP3播放機和小型記憶卡,因為Flash相關產品的毛利率比DRAM記憶體模組要高,認為下半年此部份營收是推動公司營收和獲利成長的主要動力。預估第一季每股稅後盈餘0.80元,全年4.08元。規劃辦理0.49億元現金增資,每股溢價36元,及2.2億元可轉換公司債。
利基型記憶體是指用在非PC的記憶體,自03年下半年開始,晶圓代工廠陸續調漲代工價格,廠商為了避免毛利率受到擠壓也開始分散下單。
1.晶豪:打敗法說會內容
產品主要應用在DSC、VCD、DVD player和繪圖卡,包括1M、4M、16M、64M和128M的產品,由於1M~4M市場逐漸萎縮,重心放在16M~64M,在這個市場要面對華邦和Hynix的競爭,為了降低生產成本,04年起開始提高0.15微米微程的比重,希望透過較先進的製程拉開和同業的成本差距。晶豪之前己成功開發手機用1T SRAM,然而因為找不到搭配的flash廠商市場開發略受阻礙。
公司法說會預估第一季營運和03年第四季相當,營收郤是逐月走高,用實際行動打敗法說會內容。預估第一季每股稅後盈餘2.63元、全年稅後盈餘9.69元成長50.27%。
2.矽成:庫存待降低
利基型DRAM佔營收比重75~78%、SRAM佔10~13%、邏輯產品佔7~9%。由於部分廠商生產線由利基型產品轉往生產DDR,市場規模不大的SRAM價格漲幅反而優於DRAM,矽成的庫存產品以SRAM為主,庫存的虧損壓力相當程度減輕。矽成為第一家推出USB 1.1控制晶片的國內廠商,USB 2.0推出的時間點落後創惟,在提出優惠的報價之後,陸續接獲國際主機板客戶訂單。公司以往專精在適用於網路產品的高傳輸速度SRAM,已將重心轉到手機用的低功率SRAM,並推出16Mb Pseudo SRAM。
矽成03年毛利率不到10%,04年第一季上昇到17~19%,預估單季每股稅後盈餘0.4元,然而待消化的庫存水位仍然超過二個月。
3.台晶:晶圓代工產能不足
台晶由於營運規模不大,在晶圓代工吃緊的時候,無法取得足夠的產能,也是唯一第一季營收不增反減的業者,正努力爭取第二季代工產能,目前尚無法確定第二季狀況。公司粗估第一季營運仍處於虧損。
表二十、記憶體設計廠近半年營收狀況(千元)
|
Oct-92 |
Nov-92 |
Dec-92 |
Jan-93 |
Feb-93 |
Mar-93 |
晶豪 |
555,006 |
510,703 |
537,885 |
661,235 |
771,392 |
897,230 |
銓創 |
450,003 |
480,009 |
520,089 |
544,516 |
560,071 |
607,157 |
矽成 |
477,392 |
480,399 |
487,018 |
450,242 |
504,511 |
560,301 |
台晶 |
83,252 |
64,991 |
54,414 |
33,355 |
31,833 |
39,668 |
資料來源:TEJ/元大京華投顧整理
五、股價評價
DRAM是景氣循環股,02年和03年股價走勢和報價為高度正相關,同時DRAM廠商也屬權值股,加權指數高低和股價有一定的關連性,要評估DRAM廠商合理股價要先判斷報價所處位置和加權指數高低點。以DRAM成本佔PC銷售額普遍介於5~7%,最高不到10%的比例來看,04年PC均價約落在600~800美元,則DRAM模組合理成本介於30~56美元,近期模組報價為46美元,處在中高水準,但對於每台400美元的低階電腦,其佔售價的比例是超過10%。03年面板和硬碟同時漲價,使得PC廠商不得不降低搭配的記憶體容量,04年硬碟價格走軟、面板漲勢暫歇,在成本壓力降低之下,PC廠商可容許DRAM上漲,但目前現貨成交價5.7美元、合約價5美元,報價短期上漲空間應是有限。
表二十一、DRAM廠商股價和報價相關係數
|
2001年 |
2002年 |
2003年 |
南科 |
0.64 |
0.83 |
0.82 |
力晶 |
0.39 |
0.81 |
0.88 |
茂德 |
0.69 |
0.79 |
0.87 |
資料來源:Bloomburg/元大京華投顧整理
表二十二、DRAM廠商股價和指數相關係數
|
加權指數 |
電子類股 |
上櫃電子 |
華邦 |
0.61225 |
0.88544 |
0.92127 |
南科 |
0.80290 |
0.81380 |
0.86755 |
力晶 |
0.69962 |
0.93139 |
0.94968 |
茂德 |
0.83541 |
0.93060 |
0.96870 |
資料來源:元大京華投顧計算
再從大盤指數來看,分別假設04年高點在7100點和7500點,近五年大盤指數超過7500點的時間是在1999年和2000年,以這兩年的股價淨值比來換算成7100點和7500點的最高股價淨值比和考量到廠商04年獲利狀況好轉,認為華邦最高股價淨值比為2.3倍、南科2.8倍、力晶3.2倍、茂德2.8倍,再以2003年和預估2004年淨值推估在極為理想的狀況下,華邦04年股價高點可達35元、南科45元、力晶51元、茂德36元。
整體而言,短期報價漲多回檔,加上籌碼略為混亂,認為股價需要時間整理,若下半年需求再度出籠股價還有相當的上漲空間。
表二十三、DRAM廠商近五年股價淨值比區間
|
年度 |
最高價 |
最低價 |
淨值 |
最高股價/淨值 |
最低股價/淨值 |
華邦 |
2003年 |
21.9 |
11.65 |
13.88 |
1.58 |
0.84 |
2002年 |
30.8 |
12.7 |
14.05 |
2.19 |
0.90 |
2001年 |
45.7 |
9.25 |
15.18 |
3.01 |
0.61 |
2000年 |
87.79 |
22.34 |
21.62 |
4.06 |
1.03 |
1999年 |
56.92 |
23.5 |
20.29 |
2.81 |
1.16 |
南科 |
2003年 |
30.6 |
18.4 |
13.94 |
2.20 |
1.32 |
2002年 |
53.78 |
18.9 |
13.87 |
3.88 |
1.36 |
2001年 |
37.85 |
7.48 |
12.05 |
3.14 |
0.62 |
2000年 |
72.1 |
17.12 |
15.65 |
4.61 |
1.09 |
1999年 |
|
|
14.97 |
|
|
力晶 |
2003年 |
21.8 |
6.9 |
11.37 |
1.92 |
0.61 |
2002年 |
33.3 |
9.45 |
10.91 |
3.05 |
0.87 |
2001年 |
34.9 |
6.75 |
11.11 |
3.14 |
0.61 |
2000年 |
80.5 |
14.9 |
17.53 |
4.59 |
0.85 |
1999年 |
58 |
17.3 |
17.16 |
3.38 |
1.01 |
茂德 |
2003年 |
18.4 |
5.55 |
10.64 |
1.73 |
0.52 |
2002年 |
41.7 |
8.95 |
10.29 |
4.05 |
0.87 |
2001年 |
43.1 |
11.05 |
10.43 |
4.13 |
1.06 |
2000年 |
151 |
25.9 |
14.94 |
10.11 |
1.73 |
1999年 |
|
|
16.25 |
|
|
資料來源:元大京華投顧整理
表二十四、預估04年股價淨值比高點
|
華邦 |
南科 |
力晶 |
茂德 |
|
大盤7100 |
大盤7500 |
大盤7100 |
大盤7500 |
大盤7100 |
大盤7500 |
大盤7100 |
大盤7500 |
以1999年情況為基準 |
2.47 |
2.57 |
|
|
2.68 |
2.87 |
|
|
以2000年情況為基準 |
2.88 |
3.05 |
3.15 |
3.36 |
3.00 |
3.23 |
5.82 |
6.45 |
資料來源:元大京華投顧預估
表二十五、預估04年股價理想高點
|
華邦(2.3) |
南科(2.8) |
力晶(3.2) |
茂德(2.8) |
以2003年淨值估算 |
32 |
39 |
36 |
30 |
以2004年淨值估算 |
35 |
45 |
51 |
36 |
資料來源:元大京華投顧預估
•相關個股:
•相關產業:
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