MoneyDJ新聞 2019-04-16 15:16:13 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)再添一款先進的極紫外光(EUV)製程技術,該公司的5奈米(nm)FinFET製程已經開發成功、準備要對客戶發送樣本。(圖為三星位於南韓華城市的最新EUV生產線,來源:新聞稿)
根據新聞稿,跟7奈米相較,三星的5奈米FinFET製程技術,不但邏輯晶片有效度(logic area efficiency)增加25%,耗電量也低了20%,等於效能拉高10%。
除了效能、耗電及單位面積(PPA;Performance、Power、Area)從7奈米製程提升至5奈米外,客戶還可運用三星已經高度發展的EUV技術。就跟前世代一樣,5奈米製程在金屬膜使用EUV微影成形技術,能減少金屬膜層、提供更佳的擬真度(fidelity)。
另一個關鍵好處,就是5奈米能重複使用所有7奈米技術的智慧財產權(IP)。因此,7奈米客戶在轉換至5奈米時,成本將大幅降低,設計生態也早已獲得驗證,這能縮短5奈米產品的發展時程。
三星曾於2018年10月宣布、7奈米製程技術進入初步投產階段,這是該公司第一款採用EUV技術的製程。三星已開始提供業界首批EUV新品的商業樣本,並於今(2019)年稍早開始量產7奈米製程技術。不只如此,三星也跟客戶合作基於EUV的客製化6奈米製程,首款6奈米晶片已完成設計定案(tape out)。
*編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。