擁有MOCVD及MBE兩種磊晶技術之廠商

單位:NT百萬元

註：2001年股本16.53億元係為除權前以及現增前之數字。

雖然今年半導體產業景氣及手機需求成長都將趨緩，價格看跌，但由於公司所生產的砷化鎵磊晶片屬於微波通訊中的關鍵元件，公司在看好無線傳輸中長期的成長前景下，仍將持續擴大生產規模，預估2001年全年營收將達85.07億元，較去年成長21.5%，在高毛利的磊晶片佔營收比重大幅提高下，雖然面臨價格下滑的壓力，但仍可維持穩定的獲利，預估今年稅前盈餘將由去年的7.8億元成長為9.76億元，以除權前股本16.53億元計算，稅前EPS為5.9元。公司今年決定配發每股4元股票股利，且為了籌措轉投資尚達擴廠所需資金，公司將於5/22除權後辦理2.5億元現增以及35億元的可轉換公司債，因此若以除權後以及現增後所增加的股本計算，稅前EPS約為3.8元，預估2002年尚達開始轉虧為盈後，轉投資效益將可逐漸顯現。由於今年產業景氣轉淡，財務狀況有趨向惡化的跡象，追高風險仍大，建議57元以下（除權後股價）逢低承接。

公司成立於民國80年2月，主要從事電腦周邊產品之進出口貿易，及開發智慧型硬碟機SCSI介面控制卡，並以自有品牌PROCOMP行銷，至民國85年成立光電事業處，並購入第一套化合物半導體生產設備後，正式朝微波通訊科技領域進軍，並於次年試產成功，在技術來源方面與日本住友電氣簽有OEM及技術合作合約，並為住友海外唯一OEM廠商，同時由於住友為世界重要磊晶基板製造商，在全球砷化鎵磊晶片原料基板市佔率達40%，因而公司也得以掌握穩定及低價的基板來源，降低生產成本（較同業低約20%）。公司於民國88年12月正式掛牌上市，目前主要產品包括砷化鎵微波元件磊晶片、電腦主機板、多媒體介面卡、及IEEE1394系列產品等。

參、營運現況

依產品性質不同，公司營收大致可分為PC主機板（M/B）、IA產品（包含STB、ADSL、PDA等非PC M/B及IEEE 1394）及砷化鎵磊晶片（EPI）三大類。去年全年三大類產品中以IA產品佔營收比重最高，達52.27%，其次是PC M/B佔33.4%，EPI只佔14%；但若以毛利貢獻度來看，則是以IA產品最高，達50%，EPI為33%，PC M/B則只有17%，其中EPI單項毛利率高達49.36%，其他產品毛利率合計則只有15.71%。

今年第1季IA、主機板及砷化鎵佔營收比重分別為46.04%、32.76%、21.2%，隨著今年砷化鎵磊晶機台大幅擴增後，EPI佔營收比重將由目前的兩成多提高至30.15%，雖然受到通訊需求成長減緩影響，預估EPI毛利率將降至45%，但對全年毛利貢獻度預估將由去年的33%提高至59%，成為今年最主要的獲利來源。

資料來源：富邦投顧研發部預估。

二、砷化鎵磊晶片（GaAs EPI）

1.砷化鎵化合物之特性以及應用範圍

近年來由於通訊產業迅速發展，低頻頻道已不敷使用，過去以矽元素為主所製成的通訊元件，因矽元素只能製造出1GHZ以下低頻通訊元件的自然特性，故逐漸遭取代，繼之而起的是以高輸出功率、低耗電量、高電子遷移率、耐高電壓以及線性度良好、低噪音不易失真的高頻砷化鎵材料，由於其具有「輕薄、省電、快速、發光」等特性，因此特別適合作為高頻及光電的元件。由於砷化鎵半導體的頻率範圍高達2-300GHz，應用在WLAN（電腦與電腦間無線區域網路）、WLL（以固網長途無線傳輸的無線本地迴路）、光纖通訊、衛星通訊、LMDS（區域多點資訊分送服務）、VSAT（小型商用衛星通訊系統）等微波通訊上，扮演關鍵元件地位無可取代，預估未來成長空間仍大。

資料來源：工研院經資中心ITIS，2000/10。

由上圖可發現，目前砷化鎵佔微波通訊元件比重四成不到，且在無線通訊中應用範圍主要為手機的射頻IC，未來隨著CDMA、3G手機對功率放大器（PA）績效要求愈趨嚴格下，砷化鎵將持續扮演手機射頻IC的關鍵角色外，應用在衛星通訊及光纖通訊上的成長潛力也不容小覷，預估1999至2004的六年間，砷化鎵IC及射頻 IC市場規模的年複合成長率將高達35%~40%。目前全球砷化鎵磊晶產值主要集中在日本、美國兩個地區，市佔率分別為45%、40%，韓國及台灣只佔15%，未來我國製造廠商仍有相當大的成長空間。

砷化鎵IC及射頻 IC市場預測—年複合成長率達35%~40%

資料來源：Compound Semiconductor/Strategies Unlimited 2000/01,08。

2.砷化鎵之產品種類

砷化鎵可依製程不同區分為光電元件及微波元件，所謂光電元件，是在生產過程中以砷化鎵為基板，並在基板上長不同厚度的材料薄膜，再依LED、LD元件結構需求製作LED晶粒，最後依不同應用封裝成各種產品；而微波元件則是類似矽半導體產業供應鏈，從長晶、磊晶、設計、光罩、製造、封裝、測試，最後再製成分離元件（如HBT、PHEMT、MESEFT電晶體）或砷化鎵IC（GaAs IC）。

3.砷化鎵磊晶之方法

砷化鎵為一種化合物半導體，目前在磊晶的技術上有液相磊晶法（LPE）、有基金屬化學汽相沉積（MOCVD）及分子束磊晶（MBE）等方式。LPE主要用在發光二極體（LED）上，微波元件的磊晶方法則是以MOCVD及MBE為主流，其中MBE技術發展較早，在磊晶的過程中厚度的控制較為精確，但缺點是均勻度較難掌握；MOCVD技術則有利於大量生產，但在控制厚度上卻較為不易，但目前兩種方法都已具有相當程度的競爭力，也都為製造業者所採用。

一般而言，MOCVD適合生產HBT（異質接面雙載電晶體）元件，而MBE技術則大多生產pHEMT（假型高速電子場效電晶體）元件，目前採用MOCVD生產磊晶的地區主要集中在日本，其次是北美，產品主要應用在行動電話及衛星通訊上，由於受手機市場成長趨緩影響較大，因此預估市佔率將持平在30%左右；而以MBE方式生產的主要地區則以北美為主，日本居次，產品多集中在光纖通訊、衛星電視、GPS等應用上，受到頻寬需求增加的刺激下，由於pHEMT砷化鎵晶圓的高頻特性具有較佳的優勢，因此預估市佔率可望由2001年的35%提高至2004年的50%左右。

4.博達同時具有兩種磊晶技術

博達是少數擁有MOCVD及MBE兩種磊晶技術的廠商，不但可分散營運的風險，亦可滿足客戶全方位的需求。其中pHEMT佔EPI的比重將自2000年的85%降為2001年的60%，HBT比重則將自去年的15%，提升為2001年的40%。目前公司的客戶多集中在美國與日本地區，美國地區以直銷客戶為主，日本則是回銷給住友、三菱等OEM廠商。

資料來源：富邦投顧研發部整理。

5.博達將持續擴充砷化鎵磊晶產能

至2000年年底，公司MBE、MOCVD的產能設備各有7套及8套，月產能為8.5千片，至2001年底在MBE生產設備計劃擴增為13套、MOCVD設備擴增至15套後，月產能將增加為2萬片。在生產設備大幅擴增下，預估Epi今年營收也將由去年的10億元，大幅增加為25.65億元，佔整體營收比重也將自14%左右大幅提高至30.15%。目前磊晶片仍以4吋為主，2001年6吋出貨比重預估將提高至兩成左右，不過由於手機仍是最大應用產品，高達六成，在手機需求成長減緩下，磊晶片有跌價的壓力，產能利用率也降至75%左右，預估全年Epi的毛利率將低於去年的水準，約為45%，但在月產能大幅擴增下，Epi對毛利的貢獻度仍可望由2000年的33%大幅提升為59%，成為今年獲利成長的最主要來源。

博達砷化鎵磊晶圓擴充計劃

資料來源：博達公司提供及富邦投顧研發部預估。

在IA家電產品方面，IEEE 1394預估將是公司2001年成長速度最快的產品。IEEE 1394為新一代的串列傳輸介面，具備高速傳輸速度、關機隨插即用（Plug and Play）與點對點（Peer to Peer）之功能，是連接PC、高速傳輸設備（例如Scanner、Hard Disk、PC Camera、Laser Printer、Cam Corder等）間之主要介面，可同時連結多達63台配備有1394規格家電產品的裝置，目前已配備或今年也將內建該項高速傳輸介面的devices，包括Compaq、Apple、DELL、HP、Toshiba、NEC等全球知名品牌的PC/NB，以及Sony的PS2、力捷、全友的Scanner，Sony、Panasonic、Conon、Nikon、Mitsubishi、JVC、Kodak的DVC，以及Samsung、Sony、Panasonic、Mitsubishi的Set-Top Box等。根據知名統計預測機構In-States的預估，未來隨著單價成本的降低，IEEE 1394在PC方面的應用數量將由去年的2500萬大幅成長為今年的5100萬，由於其具有高速傳輸的特性，能夠輕易處理資料量龐大的圖檔，因此在處理圖檔較多的消費性產品方面的應用數量，預估也將由2000年的1400萬，增為2001年的2800萬，呈倍數增長。

目前公司所生產的IEEE 1394.a的規格，每秒支援最高可達400 bits，而在1394.b目前也已可支援800 bits，未來最高甚至可達3200 bits，2000年總出貨數量約為50多萬個，目前主要的OEM/ODM客戶包括IBM、Epson、HP、及國內的力捷、全友等；2001年在新增訂單的挹注之下，保守估計IEEE 1394的出貨數量將倍數增長至120萬台，而ODM/OEM佔出貨量比重也可望由2000年的6成大幅提高為2001年的8成，IEEE 1394目前的毛利率大約為30%左右，未來產品單價雖然看跌，但在銷售量持續擴增下，獲利前景依然可觀。

預估2001年整個家電IA產品佔營收比重將由2000年的52.3%降為39.85%，由於IA產品毛利預估由2000年19%衰退至15%，故對於2001年全年毛利貢獻度將由2000年的50%降為30.6%。至於PC M/B由於已是相當成熟的商品，預估毛利率將由去年的10%降為8%，對全年毛利貢獻也將由17%下滑至10.4%。

今年前4個月累計營收為26.87億元，較去年同期成長57.46%，並達成全年預估營收85億元的31.6%，其中砷化鎵磊晶達成率為23.4%，雖然較為偏低，但在今年產能陸續擴充後，營收可望逐月攀高，對於全年營收貢獻度亦將逐漸顯現。累計第1季公司結算稅前淨利為2.6億元，EPS為1.57元。

資料來源：富邦投顧研發部整理及預估。

尚達為砷化鎵IC的代工廠，為博達磊晶片供應鍊的下游垂直整合廠商，除了美、日客戶外，未來博達亦將提供約25%的砷化鎵磊晶片交給尚達代工。博達為尚達最大股東，持有股權達40%，其他大股東還包括明電（持股比例約25%，為第二大股東）、提供技術來源的三菱以及美商Celeritek等，目前股本為22.5億元，預計2001年9月開始量產，初期將以4吋晶圓為主，量產後初期的月產能為1至5千片，經由投資的策略聯盟關係，三菱承諾將包下尚達三至四成的產能，公司預估2001年營收為4.27億，虧損8千多萬元，博達將認列3千8百萬元虧損，但2002年開始獲利後，營收及稅前盈餘目標將分別成長至38億元，及4億元，2003年底月產能將再擴充至2萬片的水準，將來甚至規劃至海外掛牌上市。

由於尚達擁有全球第二大通訊元件供應商三菱的技術授權，可避免切入砷化鎵晶圓代工領域時最常遭遇到所謂侵犯IP的問題，加上有博達供應上游穩定的砷化鎵磊晶片來源，缺料風險可大為降低，以及策略聯盟對象三菱即為下游客戶，在得以確保產能訂單的優勢下，將初期營運風險降至最低。雖然跨入代工領域將與博達現有客戶產生競爭，但在手機PA需求前景的高度不確定性下，IDM承擔龐大設備折舊成本與風險的意願大為降低，未來將產能釋出代工的比重預估將逐漸提高，由於博達長期以來與IDM大廠關係密切，加上公司同時擁有生產pHEMT與HBT兩種產品技術，對於未來承接IDM釋出的代工訂單將具有競爭力。為了籌措投資尚達擴廠所需的資金，現增案在今年第2季捲土重來，預計將籌措51.25億元資金，包括2.5億元的現金增資（公司傾向現增溢價為每股65元）以及35億元的可轉換公司債。

博旭為LCD驅動IC設計、PDA、PDP等產品生產廠商，初期資本額為3.15億元，博達持股30%，該公司主攻大陸市場，目前已在當地設有研發中心，並與大陸廠商共用生產線，2001年底前可望開始量產。

將來公司砷化鎵磊晶部門營收若快速成長，佔營收比重超過50%以上，則公司計畫將旗下IA、主機板等電腦事業部門完全獨立出去，使博達發展為單純的砷化鎵磊晶片製造廠商。博達所轉投資設立的慧達通訊科技，即被賦予上述的佈局任務，目前的資本額為1.35億元，博達持股達9成，初期規劃係將博達IA部門旗下的行銷、研發部門切割出來至慧達，但製造生產線仍留在博達，以委託代工的型態生產，因此初期博達營收雖會略為下滑但幅度卻不會太明顯，未來來自集團外的IA訂單比重逐漸增加，且砷化鎵磊晶片及代工業務量達到年營收30至40億元的規模後，屆時包含生產線在內的電腦事業處則可望完全獨立。

今年第1季的流動比及速動比皆較去年下降，在第2季公開募集資金完成後，可望獲得改善，但因發行可轉換公司債，預估年底負債比將攀升至71.8%；此外，應收帳款週轉率自去年第4季的1.36次下滑至今年第1季的0.93次，應收帳款收現天數自66.95天增為97.71天，財務體質有惡化的傾向，值得留意。