單位:NT百萬元
|
1998 |
1999 |
2000(F) |
2001(F) |
Q1 |
Q2 |
Q3 |
年度 |
股本 |
614 |
1,018 |
1,116 |
1,450 |
1,513 |
1,653 |
1,653 |
營業收入 |
1,873 |
4,041 |
1,248 |
1,736 |
1,848 |
7,002 |
8,507 |
成長率% |
124 |
116 |
58 |
76 |
93 |
73 |
21.5 |
營業毛利 |
426 |
745 |
242 |
296 |
414 |
1,429 |
1,956 |
毛利率% |
23 |
18 |
19 |
17 |
22 |
20.4 |
23 |
營業利益 |
266 |
442 |
170 |
194 |
286 |
966 |
1,276 |
營益率% |
14 |
11 |
14 |
11 |
15 |
13.8 |
15 |
業外收支 |
-73 |
-130 |
-37 |
-44 |
-56 |
-186 |
-300 |
稅前淨利 |
193 |
312 |
133 |
150 |
230 |
780 |
976 |
稅率% |
10 |
- |
8 |
- |
12 |
4.23 |
- |
稅後淨利 |
175 |
341 |
123 |
160 |
202 |
747 |
976 |
EPS(元) |
2.84 |
3.35 |
1.1 |
1.1 |
1.34 |
4.52 |
5.90 |
現金股利(元) |
0 |
0 |
0 |
- |
股票股利(元) |
2 |
2.2 |
4 |
- |
註:2001年股本16.53億元係為除權前以及現增前之數字。
壹、投資建議
雖然今年半導體產業景氣及手機需求成長都將趨緩,價格看跌,但由於公司所生產的砷化鎵磊晶片屬於微波通訊中的關鍵元件,公司在看好無線傳輸中長期的成長前景下,仍將持續擴大生產規模,預估2001年全年營收將達85.07億元,較去年成長21.5%,在高毛利的磊晶片佔營收比重大幅提高下,雖然面臨價格下滑的壓力,但仍可維持穩定的獲利,預估今年稅前盈餘將由去年的7.8億元成長為9.76億元,以除權前股本16.53億元計算,稅前EPS為5.9元。公司今年決定配發每股4元股票股利,且為了籌措轉投資尚達擴廠所需資金,公司將於5/22除權後辦理2.5億元現增以及35億元的可轉換公司債,因此若以除權後以及現增後所增加的股本計算,稅前EPS約為3.8元,預估2002年尚達開始轉虧為盈後,轉投資效益將可逐漸顯現。由於今年產業景氣轉淡,財務狀況有趨向惡化的跡象,追高風險仍大,建議57元以下(除權後股價)逢低承接。
貳、公司簡介
公司成立於民國80年2月,主要從事電腦周邊產品之進出口貿易,及開發智慧型硬碟機SCSI介面控制卡,並以自有品牌PROCOMP行銷,至民國85年成立光電事業處,並購入第一套化合物半導體生產設備後,正式朝微波通訊科技領域進軍,並於次年試產成功,在技術來源方面與日本住友電氣簽有OEM及技術合作合約,並為住友海外唯一OEM廠商,同時由於住友為世界重要磊晶基板製造商,在全球砷化鎵磊晶片原料基板市佔率達40%,因而公司也得以掌握穩定及低價的基板來源,降低生產成本(較同業低約20%)。公司於民國88年12月正式掛牌上市,目前主要產品包括砷化鎵微波元件磊晶片、電腦主機板、多媒體介面卡、及IEEE1394系列產品等。
參、營運現況
一、產品結構
依產品性質不同,公司營收大致可分為PC主機板(M/B)、IA產品(包含STB、ADSL、PDA等非PC M/B及IEEE
1394)及砷化鎵磊晶片(EPI)三大類。去年全年三大類產品中以IA產品佔營收比重最高,達52.27%,其次是PC
M/B佔33.4%,EPI只佔14%;但若以毛利貢獻度來看,則是以IA產品最高,達50%,EPI為33%,PC
M/B則只有17%,其中EPI單項毛利率高達49.36%,其他產品毛利率合計則只有15.71%。
今年第1季IA、主機板及砷化鎵佔營收比重分別為46.04%、32.76%、21.2%,隨著今年砷化鎵磊晶機台大幅擴增後,EPI佔營收比重將由目前的兩成多提高至30.15%,雖然受到通訊需求成長減緩影響,預估EPI毛利率將降至45%,但對全年毛利貢獻度預估將由去年的33%提高至59%,成為今年最主要的獲利來源。
各項產品佔營收比重及其毛利貢獻度
2000年 |
PC M/B |
IA |
EPI |
產品銷售額佔營收比重% |
33.4 |
52.3 |
14 |
產品毛利貢獻度% |
17 |
50 |
33 |
2001年(F) |
PC M/B |
IA |
EPI |
產品銷售額佔營收比重% |
30 |
39.85 |
30.15 |
產品毛利貢獻度% |
10.4 |
30.6 |
59 |
資料來源:富邦投顧研發部預估。
二、砷化鎵磊晶片(GaAs EPI)
1.砷化鎵化合物之特性以及應用範圍
近年來由於通訊產業迅速發展,低頻頻道已不敷使用,過去以矽元素為主所製成的通訊元件,因矽元素只能製造出1GHZ以下低頻通訊元件的自然特性,故逐漸遭取代,繼之而起的是以高輸出功率、低耗電量、高電子遷移率、耐高電壓以及線性度良好、低噪音不易失真的高頻砷化鎵材料,由於其具有「輕薄、省電、快速、發光」等特性,因此特別適合作為高頻及光電的元件。由於砷化鎵半導體的頻率範圍高達2-300GHz,應用在WLAN(電腦與電腦間無線區域網路)、WLL(以固網長途無線傳輸的無線本地迴路)、光纖通訊、衛星通訊、LMDS(區域多點資訊分送服務)、VSAT(小型商用衛星通訊系統)等微波通訊上,扮演關鍵元件地位無可取代,預估未來成長空間仍大。
砷化鎵晶片各種應用銷售額百分比
![](https://www.moneydj.com/z/gif/GetRptGif.djgif?a=6381)
資料來源:工研院經資中心ITIS,2000/10。
由上圖可發現,目前砷化鎵佔微波通訊元件比重四成不到,且在無線通訊中應用範圍主要為手機的射頻IC,未來隨著CDMA、3G手機對功率放大器(PA)績效要求愈趨嚴格下,砷化鎵將持續扮演手機射頻IC的關鍵角色外,應用在衛星通訊及光纖通訊上的成長潛力也不容小覷,預估1999至2004的六年間,砷化鎵IC及射頻
IC市場規模的年複合成長率將高達35%~40%。目前全球砷化鎵磊晶產值主要集中在日本、美國兩個地區,市佔率分別為45%、40%,韓國及台灣只佔15%,未來我國製造廠商仍有相當大的成長空間。
砷化鎵IC及射頻
IC市場預測—年複合成長率達35%~40%
|
1999 |
2000 |
2001 |
2002 |
2003 |
2004 |
射頻 IC(10億美元) |
3.88 |
4.88 |
5.38 |
6.13 |
7.00 |
7.88 |
GaAs IC(10億美元) |
1.61 |
2.21 |
2.81 |
3.48 |
4.15 |
4.89 |
資料來源:Compound Semiconductor/Strategies
Unlimited 2000/01,08。
2.砷化鎵之產品種類
砷化鎵可依製程不同區分為光電元件及微波元件,所謂光電元件,是在生產過程中以砷化鎵為基板,並在基板上長不同厚度的材料薄膜,再依LED、LD元件結構需求製作LED晶粒,最後依不同應用封裝成各種產品;而微波元件則是類似矽半導體產業供應鏈,從長晶、磊晶、設計、光罩、製造、封裝、測試,最後再製成分離元件(如HBT、PHEMT、MESEFT電晶體)或砷化鎵IC(GaAs
IC)。
3.砷化鎵磊晶之方法
砷化鎵為一種化合物半導體,目前在磊晶的技術上有液相磊晶法(LPE)、有基金屬化學汽相沉積(MOCVD)及分子束磊晶(MBE)等方式。LPE主要用在發光二極體(LED)上,微波元件的磊晶方法則是以MOCVD及MBE為主流,其中MBE技術發展較早,在磊晶的過程中厚度的控制較為精確,但缺點是均勻度較難掌握;MOCVD技術則有利於大量生產,但在控制厚度上卻較為不易,但目前兩種方法都已具有相當程度的競爭力,也都為製造業者所採用。
一般而言,MOCVD適合生產HBT(異質接面雙載電晶體)元件,而MBE技術則大多生產pHEMT(假型高速電子場效電晶體)元件,目前採用MOCVD生產磊晶的地區主要集中在日本,其次是北美,產品主要應用在行動電話及衛星通訊上,由於受手機市場成長趨緩影響較大,因此預估市佔率將持平在30%左右;而以MBE方式生產的主要地區則以北美為主,日本居次,產品多集中在光纖通訊、衛星電視、GPS等應用上,受到頻寬需求增加的刺激下,由於pHEMT砷化鎵晶圓的高頻特性具有較佳的優勢,因此預估市佔率可望由2001年的35%提高至2004年的50%左右。
4.博達同時具有兩種磊晶技術
博達是少數擁有MOCVD及MBE兩種磊晶技術的廠商,不但可分散營運的風險,亦可滿足客戶全方位的需求。其中pHEMT佔EPI的比重將自2000年的85%降為2001年的60%,HBT比重則將自去年的15%,提升為2001年的40%。目前公司的客戶多集中在美國與日本地區,美國地區以直銷客戶為主,日本則是回銷給住友、三菱等OEM廠商。
2000~2001年博達pHEMT與HBT產品比重/客戶比重之比較
|
2000年 |
2001年(F) |
產品 |
pHEMT |
85% |
60% |
HBT |
15% |
40% |
客戶 |
美國客戶 |
55% |
30% |
日本客戶 |
45% |
45% |
尚達 |
- |
25% |
資料來源:富邦投顧研發部整理。
5.博達將持續擴充砷化鎵磊晶產能
至2000年年底,公司MBE、MOCVD的產能設備各有7套及8套,月產能為8.5千片,至2001年底在MBE生產設備計劃擴增為13套、MOCVD設備擴增至15套後,月產能將增加為2萬片。在生產設備大幅擴增下,預估Epi今年營收也將由去年的10億元,大幅增加為25.65億元,佔整體營收比重也將自14%左右大幅提高至30.15%。目前磊晶片仍以4吋為主,2001年6吋出貨比重預估將提高至兩成左右,不過由於手機仍是最大應用產品,高達六成,在手機需求成長減緩下,磊晶片有跌價的壓力,產能利用率也降至75%左右,預估全年Epi的毛利率將低於去年的水準,約為45%,但在月產能大幅擴增下,Epi對毛利的貢獻度仍可望由2000年的33%大幅提升為59%,成為今年獲利成長的最主要來源。
博達砷化鎵磊晶圓擴充計劃
|
2000 |
2001(F) |
Reactors in factory |
14 |
28 |
Reactors in mass production |
9 |
22 |
年底產能(片/月) |
8,500 |
20,000 |
預估營收(新台幣百萬元) |
1,002 |
2,565 |
資本支出(新台幣百萬元) |
3,245 |
1,075 |
資料來源:博達公司提供及富邦投顧研發部預估。
三、IA產品/主機板產品
在IA家電產品方面,IEEE
1394預估將是公司2001年成長速度最快的產品。IEEE 1394為新一代的串列傳輸介面,具備高速傳輸速度、關機隨插即用(Plug and
Play)與點對點(Peer to Peer)之功能,是連接PC、高速傳輸設備(例如Scanner、Hard Disk、PC Camera、Laser
Printer、Cam
Corder等)間之主要介面,可同時連結多達63台配備有1394規格家電產品的裝置,目前已配備或今年也將內建該項高速傳輸介面的devices,包括Compaq、Apple、DELL、HP、Toshiba、NEC等全球知名品牌的PC/NB,以及Sony的PS2、力捷、全友的Scanner,Sony、Panasonic、Conon、Nikon、Mitsubishi、JVC、Kodak的DVC,以及Samsung、Sony、Panasonic、Mitsubishi的Set-Top
Box等。根據知名統計預測機構In-States的預估,未來隨著單價成本的降低,IEEE
1394在PC方面的應用數量將由去年的2500萬大幅成長為今年的5100萬,由於其具有高速傳輸的特性,能夠輕易處理資料量龐大的圖檔,因此在處理圖檔較多的消費性產品方面的應用數量,預估也將由2000年的1400萬,增為2001年的2800萬,呈倍數增長。
目前公司所生產的IEEE 1394.a的規格,每秒支援最高可達400
bits,而在1394.b目前也已可支援800 bits,未來最高甚至可達3200
bits,2000年總出貨數量約為50多萬個,目前主要的OEM/ODM客戶包括IBM、Epson、HP、及國內的力捷、全友等;2001年在新增訂單的挹注之下,保守估計IEEE
1394的出貨數量將倍數增長至120萬台,而ODM/OEM佔出貨量比重也可望由2000年的6成大幅提高為2001年的8成,IEEE
1394目前的毛利率大約為30%左右,未來產品單價雖然看跌,但在銷售量持續擴增下,獲利前景依然可觀。
預估2001年整個家電IA產品佔營收比重將由2000年的52.3%降為39.85%,由於IA產品毛利預估由2000年19%衰退至15%,故對於2001年全年毛利貢獻度將由2000年的50%降為30.6%。至於PC
M/B由於已是相當成熟的商品,預估毛利率將由去年的10%降為8%,對全年毛利貢獻也將由17%下滑至10.4%。
四、2001年第1季季報
今年前4個月累計營收為26.87億元,較去年同期成長57.46%,並達成全年預估營收85億元的31.6%,其中砷化鎵磊晶達成率為23.4%,雖然較為偏低,但在今年產能陸續擴充後,營收可望逐月攀高,對於全年營收貢獻度亦將逐漸顯現。累計第1季公司結算稅前淨利為2.6億元,EPS為1.57元。
2001年前4個月營收達成狀況
|
IA |
Epi |
M/B |
Total |
2001年前4個月營收(億元) |
12.40 |
6.00 |
8.47 |
26.87 |
各項產品佔整體營收比重 |
46.15% |
22.33% |
31.52% |
100% |
預估2001年全年產品銷售額佔營收比重 |
39.85% |
30.15% |
30% |
100% |
預估2001年營收(億元) |
33.90 |
25.65 |
25.52 |
85.07 |
2001年前4個月營收達成率 |
36.6% |
23.4% |
33.2% |
31.6% |
資料來源:富邦投顧研發部整理及預估。
肆、轉投資事業
一、尚達積體電路
尚達為砷化鎵IC的代工廠,為博達磊晶片供應鍊的下游垂直整合廠商,除了美、日客戶外,未來博達亦將提供約25%的砷化鎵磊晶片交給尚達代工。博達為尚達最大股東,持有股權達40%,其他大股東還包括明電(持股比例約25%,為第二大股東)、提供技術來源的三菱以及美商Celeritek等,目前股本為22.5億元,預計2001年9月開始量產,初期將以4吋晶圓為主,量產後初期的月產能為1至5千片,經由投資的策略聯盟關係,三菱承諾將包下尚達三至四成的產能,公司預估2001年營收為4.27億,虧損8千多萬元,博達將認列3千8百萬元虧損,但2002年開始獲利後,營收及稅前盈餘目標將分別成長至38億元,及4億元,2003年底月產能將再擴充至2萬片的水準,將來甚至規劃至海外掛牌上市。
由於尚達擁有全球第二大通訊元件供應商三菱的技術授權,可避免切入砷化鎵晶圓代工領域時最常遭遇到所謂侵犯IP的問題,加上有博達供應上游穩定的砷化鎵磊晶片來源,缺料風險可大為降低,以及策略聯盟對象三菱即為下游客戶,在得以確保產能訂單的優勢下,將初期營運風險降至最低。雖然跨入代工領域將與博達現有客戶產生競爭,但在手機PA需求前景的高度不確定性下,IDM承擔龐大設備折舊成本與風險的意願大為降低,未來將產能釋出代工的比重預估將逐漸提高,由於博達長期以來與IDM大廠關係密切,加上公司同時擁有生產pHEMT與HBT兩種產品技術,對於未來承接IDM釋出的代工訂單將具有競爭力。為了籌措投資尚達擴廠所需的資金,現增案在今年第2季捲土重來,預計將籌措51.25億元資金,包括2.5億元的現金增資(公司傾向現增溢價為每股65元)以及35億元的可轉換公司債。
二、博旭科技
博旭為LCD驅動IC設計、PDA、PDP等產品生產廠商,初期資本額為3.15億元,博達持股30%,該公司主攻大陸市場,目前已在當地設有研發中心,並與大陸廠商共用生產線,2001年底前可望開始量產。
三、慧達通訊
將來公司砷化鎵磊晶部門營收若快速成長,佔營收比重超過50%以上,則公司計畫將旗下IA、主機板等電腦事業部門完全獨立出去,使博達發展為單純的砷化鎵磊晶片製造廠商。博達所轉投資設立的慧達通訊科技,即被賦予上述的佈局任務,目前的資本額為1.35億元,博達持股達9成,初期規劃係將博達IA部門旗下的行銷、研發部門切割出來至慧達,但製造生產線仍留在博達,以委託代工的型態生產,因此初期博達營收雖會略為下滑但幅度卻不會太明顯,未來來自集團外的IA訂單比重逐漸增加,且砷化鎵磊晶片及代工業務量達到年營收30至40億元的規模後,屆時包含生產線在內的電腦事業處則可望完全獨立。
伍、財務狀況
項目\年度 |
1996 |
1997 |
1998 |
1999 |
2000 |
2001/3 |
負債比率(%) |
65.53 |
53.15 |
53.18 |
52.64 |
41.51 |
38.98 |
流動比率(%) |
119.81 |
119.01 |
148.06 |
133.28 |
152.49 |
143.08 |
速動比率(%) |
66.95 |
81.61 |
102.34 |
75.65 |
118.99 |
104.99 |
應收款項週轉率(次) |
5.62 |
4.10 |
4.53 |
4.79 |
4.02 |
0.93 |
存貨週轉率(次) |
4.86 |
5.33 |
7.25 |
7.01 |
7.89 |
2.01 |
今年第1季的流動比及速動比皆較去年下降,在第2季公開募集資金完成後,可望獲得改善,但因發行可轉換公司債,預估年底負債比將攀升至71.8%;此外,應收帳款週轉率自去年第4季的1.36次下滑至今年第1季的0.93次,應收帳款收現天數自66.95天增為97.71天,財務體質有惡化的傾向,值得留意。