MoneyDJ新聞 2025-02-24 09:00:28 記者 周佩宇 報導
美國總統川普上任以來屢次強調半導體係國家安全與經濟競爭的關鍵，其認為全球供應鏈過於集中、存在潛在風險，並指控台灣奪走美國的晶片事業，威脅要將半導體關稅拉高到最多100%，且對台積電(2330)展開施壓，並有意扶植Intel，如今市場傳聞這股力量將延伸至記憶體產業，透過限制韓國記憶體大廠SK海力士(000660.KS)，同時扶持美商美光(MU.US)，以重塑全球記憶體供應鏈格局。雖然目前尚未有官方明確政策，但市場普遍認為，這一動向一旦成真，將對全球DRAM及HBM(高頻寬記憶體)市場帶來顯著影響，尤其在AI高性能運算的應用上，能使美國佔據關鍵優勢。
全球主要記憶體產品可分為動態隨機存取記憶體（DRAM）與快閃記憶體（Flash）。其中，DRAM晶粒的供應市場由三星、SK海力士、美光主導，三者市佔率相加約達九成，因DRAM生產需要極高的資本投入、先進製程技術以及持續的研發支出，相對難以撼動三大廠的龍頭地位。
目前韓企在記憶體晶片仍有「壓倒性」的市占率，三星及SK海力士DRAM市佔率分別逾40%、約30%，美光則位居其後，市佔率20%上下。其中在DDR5技術迅速普及、產品需求激增的背景下，各大原廠均在積極調整產能與研發策略，以滿足從高頻寬數據中心到消費性電子的多樣化需求。
值得注意的是，在高階記憶體領域，HBM因採用DDR記憶體堆疊與垂直互連技術，具備高數據傳輸速率，成為AI伺服器與高性能運算系統的關鍵組件。由於這項產品具高毛利率及市場潛力，各大原廠搶先佈局，紛紛加快產能擴充以搶占市場先機。目前該產品線以SK海力士市佔率居首，約達5成，三星在HBM市佔率近3成，美光則因初期研發進度稍落後，目前市佔率約15%。
不過在最新一代HBM3產品的競爭中，美光已有後來居上的跡象，在2024年緊跟著SK海力士之後，通過輝達的驗證，並開始遞交HBM3e量產產品，美光也預估，2025年HBM市佔率有望達20-25%，縮小與前兩大競爭者差距。若加上美國政府的扶植，美光有望在高階HBM，特別是在AI伺服器需求日益增長的情況下，獲得更高的市場份額，進一步鞏固美國在全球AI供應鏈中的關鍵地位。
另一方面，中國記憶體廠商長鑫存儲，近年的擴產動作也不容忽視，其針對DDR5產線建設和生產良率提升快速，業者推估，依長鑫存儲的產能來計算，2025年可望搶下近10%的市佔率，對現有市場格局也將產生挑戰。
而關於台灣市場，若美國最終採取扶植美光的政策，台灣相關企業極可能受惠，並將推動美光概念股的訂單及股價表現。
(圖片來源:資料庫)
