博盛自研Dr.Mos今年有成品 SiC產品今/明年發酵

MoneyDJ新聞 2025-03-28 10:21:23 記者 萬惠雯 報導

類比IC廠商博盛半導體（7712）積極開發新產品，博盛表示，2025年公司將持續強化中高壓功率元件技術布局，並透過自主開發Dr.MOS晶片與導入GaN（氮化鎵）及SiC（碳化矽）技術，逐步拓展產品線。

博盛目前中壓產品占比逾90%，但未來會進一步提升高壓產品比重，以對應車用、工業與伺服器市場對效率與功率密度的要求；在第三代半導體的部分，標準的GaN/SiC等產品，中低高壓都有在做，產品線陸續完整，GaN的趨勢往中低壓高效應用發展，對應小型化與高速充電趨勢，SiC則開始小量出貨，針對車用與充電樁市場， 預計今/明年會陸續發酵 。

至於在IGBT產品，博盛認為，因國內沒有一個較完整的供應鏈，目前先保留行有餘力時開始進行。

另外，博盛也自行研發Dr.MOS，與重要合作夥伴共同開發，今年會有成品。

為了擴大規模，以及即時回應客戶的需求，博盛也擬增加投資在雲端系統、分析和實驗儀器，另外也增設商務中心以及研發中心，所以預計有約4.8億元的資本支出計劃，竹北研發中心預計今年即可完成。

(圖片來源：資料庫)