MoneyDJ新聞 2017-11-01 09:06:08 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics)週二(10月31日)公布財報時，暗示明(2018)年DRAM、NAND型快閃記憶體供給緊繃，激勵美光(Micron Technology, Inc.)股價急升，一口氣躍上16年高。
barron`s.com報導，Stifel Nicolaus半導體設備分析師Patrick Ho發表研究報告指出，三星的262億美元半導體擴產支出中，70-75%將花在記憶體上面，雖然投資人對記憶體資本支出顯著上揚感到憂心，但估計DRAM和NAND的短缺情況，至少都會延續到明年上半年。
Ho表示，雖然3D NAND型快閃記憶體今明兩年的業界產能將明顯上升，但需求仍將在明年一整年超越供給，甚至到了2019年仍將持續短缺。三星管理層提到，12月資本支出有一大部分將用來打造設備和無塵室，這些裝置應該會用來因應DRAM擴產行動。Ho還說，應用材料(Applied Materials)是三星增加半導體、面板資本支出的最大受惠者。
BMO Capital分析師Tim Long則說，三星財報電話會議的重點包括：2017年第4季半導體資本支出將高達9.8兆韓圜、大多會用來擴充無塵室；資本支出的優先順序依序為擴充平澤廠的3D NAND產能、DRAM製程遷移、DRAM轉換以彌補製程遷移造成的產能損失；由於轉換成本高於預期，三星不再積極要將平面(Planar)NAND產能轉換至DRAM。
美光10月31日終場跳漲6.39%、收44.31美元，創2001年8月2日以來收盤高，漲幅在費城半導體指數30支成分股中排名第二。
韓聯社、路透社、金融時報報導，三星電子記憶體部門Q3營益為9.96兆韓圜，破歷史新高，其中DRAM銷售尤為出色。三星今年的資本開支將達46.2兆韓圜，高於去年的25.5兆韓圜。其中29.5兆韓圜將投資半導體、14.1兆韓圜投資面板。三星表示，2018年將提高10奈米等級的DRAM產出，並即時量產第五代3D NAND。
韓媒etnews 31日報導，據了解三星正在改裝南韓華城(Hwasung)廠16號線，此一產線原本生產2D NAND，明年第一季起將量產DRAM。另外，三星的南韓平澤廠也在打造新DRAM產線，第一階段產能估計明年第三季開出。
預計2018年三星在華城廠和平澤廠的DRAM產出將增加6萬組，規模不算太大。問題在2018年下半之後，三星計畫把華城16號線全數用於生產DRAM，若閒置空間全數使用，DRAM產能將增加13.5萬組。不只如此，屆時平澤廠DRAM投資也進入第二階段，DRAM產能將增10萬組。兩廠相加，等於開出23.5萬組的新產能。作為對照，今年第三季全球DRAM產能為每月110萬組，要是三星真的增產23.5萬組，全球DRAM供給將飆升20%。
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